IGBT-Modul, 1200 V 400 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Beschreibung | Die in Absatz 1 genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. | Einheiten |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
Ichc | Sammler-Strom @tc=25°C @ Tc=90°C | 585 400 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp= 1m | 800 | a) |
Ichf | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 400 | a) |
Ichfm | Diode Maximale Vorwärtsleitungrenttp=1ms | 800 | a) |
pd | Maximaler LeistungsverlustDie @ Tj=175°C | 2174 | w |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | °C |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | °C |
tstg | LagertemperaturBereich | -40 bis +125 | °C |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 4000 | v |
Montage Drehmoment | Schraube für die Antriebsspitze:M6 Montageschraube:M6 | 2,5 bis 5.0 3,0 bis 5.0 | n.m. |
Gewicht | Gewicht von Modul | 300 | G |
elektrische Eigenschaften von - Ich weiß. tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
v(Br)CES | Kollektor-Emitter Abbruchspannung | tj=25°C | 1200 |
|
| v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C |
|
| 5.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C |
|
| 400 | - Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc= 15,2 mA,Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C | 5.1 | 5.8 | 6.4 | v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C |
| 2.05 | 2.45 |
v |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C |
| 2.40 |
|
Schaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj=25°C |
| 362 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 112 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 378 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 115 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 34.8 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 19.0 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj= 125°C |
| 364 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 113 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 405 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 125 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 43.0 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 30.8 |
| m | |
c- Nein. | Eingangskapazität | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 24.6 |
| NF |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.38 |
| NF | |
IchSc | SC-Daten | tp≤ 10 μs, VGE=15 v, tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
| 1600 |
| a) |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 1.9 |
| Oh |
Ich...c | Streuinduktivität |
|
|
| 20 | - Nein. |
RCC’+EE’ | Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten | |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf=400A | tj=25°C |
| 1.95 | 2.35 | v |
tj=125°C |
| 2.05 |
| ||||
QR | Wiederhergestellt Gebühr | Ichf= 400A, vR=600V, RG= 2,4Ω, vGE=-15V | tj=25°C |
| 20.2 |
| μC |
tj=125°C |
| 43.0 |
| ||||
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | tj=25°C |
| 226 |
| a) | |
tj=125°C |
| 340 |
| ||||
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie | tj=25°C |
| 10.1 |
| m | |
tj=125°C |
| 27.2 |
| ||||
Thermische EigenschaftenIcs
Symbol | Parameter | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
RθJC | Junction-to-Case (pro IGBT) |
| 0.069 | K/W |
RθJC | Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
| 0.098 | K/W |
Rθcss | Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen) | 0.035 |
| K/W |
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