IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD400HFT120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

600

a)

400

IchCM(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

800

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom    @ Tc=80°C

400

a)

Ichfm

Diode maximaler Vorwärtsstrom    tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @tj=150°C

2119

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Leistungsanschluss Schraube:M6

2,5 bis 5.0

n.m.

Drehmoment

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(BR)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vEG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=16mA,Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=400A,   RG=1.8Ω,VGE=±15 V, tj=25°C

250

NS

tR

Aufstiegszeit

39

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

tf

Herbstzeit

100

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

17.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

42.0

m

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=400A,   RG=1.8Ω,VGE=±15 V, tj=125°C

299

NS

tR

Aufstiegszeit

46

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

605

NS

tf

Herbstzeit

155

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

25.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

61.9

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

28.8

NF

c- Die

Ausgangskapazität

1.51

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,- Ich weiß.tj=125°C- Ich weiß.

vCc=600V, vCEM ≤1200 V

1600

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.9

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.35

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj=125°C

1.65

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf= 400A,

vR=600V,

di/dt=-6000A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

44

μC

tj=125°C

78

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

490

a)

tj=125°C

555

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

19.0

m

tj=125°C

35.1

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(proIGBT)

0.059

K/W

RθJC

Junction-to-Case (proDIODE)

0.106

K/W

RθCS

Gehäuse-zu-Senke (leitfähiges Fettaufgetragen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

G