IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

659

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

2727

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc

2.00

2.45

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc

2.40

Ichc=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.50

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

27.0

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.92

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

3.08

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,VGE=±15V, tj=25oc

367

NS

tR

Aufstiegszeit

112

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

523

NS

tf

Herbstzeit

236

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

42.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

76.7

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,VGE=±15V, tj= 125oc

375

NS

tR

Aufstiegszeit

116

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

599

NS

tf

Herbstzeit

458

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

58.7

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

109

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,VGE=±15V, tj= 150oc

377

NS

tR

Aufstiegszeit

120

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

611

NS

tf

Herbstzeit

560

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

73.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

118

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V

1200

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.95

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If= 400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15 V,tj=25oc

101

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

488

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

71.1

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If= 400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15 V, tj= 125oc

150

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

562

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

106

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If= 400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15 V, tj= 150oc

160

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

575

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

112

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.055

0.105

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch

0.107

0.204

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G