IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

a)

400

IchCM(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

800

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom    @ Tc=80°C

400

a)

Ichfm

Dioden maximale Vorwärtsströmungn

800

a)

pd

Maximalleistungtj=150°C

2450

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Leistungsanschluss Schraube:M6

2,5 bis 5.0

n.m.

Drehmoment

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(BR)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vEG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=16mA,Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

1.90

2.35

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=400A,   RG=4.1Ω,VGE=±15 V, tj=25°C

910

NS

tR

Aufstiegszeit

200

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

848

NS

tf

Herbstzeit

110

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

33.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

39.5

m

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=400A,   RG=4.1Ω,VGE=±15 V, tj=125°C

1047

NS

tR

Aufstiegszeit

201

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

998

NS

tf

Herbstzeit

150

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

46.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

57.6

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

29.7

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.08

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.36

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,

tj=25°C,VCc=600V,

vCEM ≤1200 V

1800

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.35

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

1.80

2.40

v

tj=125°C

1.85

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf= 400A,

vR=600V,

di/dt=-2680A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

26

μC

tj=125°C

49

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

212

a)

tj=125°C

281

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

13.4

m

tj=125°C

23.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(proIGBT)

0.051

K/W

RθJC

Junction-to-Case (proDIODE)

0.072

K/W

RθCS

Gehäuse-zu-Senke (leitfähiges Fettaufgetragen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

G