IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

630

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

2083

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc

1.95

Ichc=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=30V, f=1MHz,

vGE=0V

39.6

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.20

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=15V

2.40

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

408

NS

tR

Aufstiegszeit

119

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

573

NS

tf

Herbstzeit

135

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

10.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

36.2

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

409

NS

tR

Aufstiegszeit

120

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

632

NS

tf

Herbstzeit

188

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

13.2

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.6

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

410

NS

tR

Aufstiegszeit

123

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

638

NS

tf

Herbstzeit

198

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

14.4

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

56.1

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

1600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.85

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

40.5

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

259

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

19.7

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc

67.9

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

323

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

32.6

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc

77.7

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

342

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

38.3

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.35

mΩ

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.072

0.095

K/W

Rθcss

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

0.088

0.116

K/W

Rθcss

Gehäuse zu Sink

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

300

G