IGBT-Modul, 1200V 400A;Chopper in einem Paket
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
Ichc | Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc=60oc | 505 400 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 800 | a) |
pd | Maximale Leistungsabgabe @ Tj=150oc | 2358 | w |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vRRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1200 | v |
Ichf | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 400 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 800 | a) |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 150 | oc |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +125 | oc |
tstg | LagertemperaturBereich | -40 bis +125 | oc |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 2500 | v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vCE(sat) | Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc |
| 2.90 | 3.35 |
v |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc |
| 3.60 |
| |||
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc=4,0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc | 5.0 | 5.8 | 6.6 | v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 5.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Nein. |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 0.5 |
| Oh |
c- Nein. | Eingangskapazität | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 26.2 |
| NF |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.68 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | vGE=- 15…+15V |
| 4.18 |
| μC |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
| 337 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 88 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 460 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 116 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 21.2 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 19.4 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
| 359 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 90 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 492 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 128 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 29.4 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 26.0 |
| m | |
IchSc |
SC-Daten | tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=125oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
|
2400 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 2.00 | 2.45 | v |
Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 2.10 |
| |||
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 400A, -di/dt=2840A/μs,VGE=±15V, tj=25oc |
| 27.0 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 280 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 16.6 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 400A, -di/dt=2840A/μs,VGE=±15V, tj= 125oc |
| 46.0 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 380 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 30.0 |
| m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
RthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
| 0.053 0.103 | K/W |
RthCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
| 0.048 0.094 0.032 |
| K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | n.m. |
G | Gewicht von Modul |
| 350 |
| G |
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