IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

vWert

Einheiten

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

- Ich weiß.

Kollektorstrom @ TC=25℃

Kollektorstrom @ TC=80℃

5200

a)

3600

ICM(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1ms

7200

a)

Wenn

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

a)

wenn

Diode maximaler Vorwärtsstrom    @ TC=80℃

7200

a)

PD

Maximale Leistungsabgabe    @ Tj=175℃

20

kW

Tj

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

Tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

VISO

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montage

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

n.m.

Drehmoment

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

V(BR)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

Tj=25℃

1700

v

ICES

Sammler-Abschlusstrom

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

- Ich weiß.

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

- Nein.

VGE(th)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE (Sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

2.40

2.85

QG

Gate-Ladung

VGE=-15…+15V

42.0

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

Tj=25℃

0.4

Oh

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

NS

Tr

Aufstiegszeit

205

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1510

NS

Tf

Herbstzeit

185

NS

EON

Einschalt-Schaltverluste

498

m

EOFF

Ausschalt-Schaltverluste

1055

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

NS

Tr

Aufstiegszeit

225

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1800

NS

Tf

Herbstzeit

325

NS

EON

Einschalt-Schaltverluste

746

m

EOFF

Ausschalt-Schaltverluste

1451

m

Cies

Eingangskapazität

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Ausgangskapazität

13.2

NF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

10.5

NF

Schlechte

SC-Daten

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

14000

a)

LCE

Streuinduktivität

10

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=3600A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

2.30

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf=3600A,

vR=900V,

RGon=0.4Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

836

μC

tj=125°C

1451

IchRm

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

2800

a)

tj=125°C

3300

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

590

m

tj=125°C

1051