IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter@ Tj=25°C

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters@ Tj=25°C

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc= 100°C

480

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

600

a)

ptot

Gesamtleistungsschwächung @ Tj=175°C

1630

w

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

250

NS

tR

Aufstiegszeit

90

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

tf

Herbstzeit

130

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

16.9

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.4

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

300

NS

tR

Aufstiegszeit

100

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

650

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

25.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

43.9

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

21.5

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.98

NF

QG

Gate-Ladung

vCc=600V,Ic=300A, vGE=-15 - Ich...+15V

2.8

nc

RGint

Innen-Gatterwiderstand

2.5

Oh

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C, V Cc=900V,vCEM≤ 1200 V

1200

a)

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

vRRM

Wiederholbare Spitzenumkehrspannung @ Tj=25°C

1200

v

Ichf

DC Vorwärtsstrom

300

a)

IchFRM

Wiederholter Spitzenstrom vorwärts tp=1ms

600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=300A,

vGE=0V

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj=125°C

1.65

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf=300A,

vR=600V,

RG= 2,4Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

30

μC

tj=125°C

55

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

210

a)

tj=125°C

270

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

13.9

m

tj=125°C

26.1

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter@ Tj=25°C

650

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters@ Tj=25°C

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc= 100°C

480

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

600

a)

ptot

Gesamtleistungsschwächung @ Tj=175°C

1071

w

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

650

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=13,2- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.5

7.7

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25°C

1.50

1.95

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=175°C

1.80

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=300V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,5Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

125

NS

tR

Aufstiegszeit

320

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

270

NS

tf

Herbstzeit

135

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

3.20

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.2

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=300V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,5Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

110

NS

tR

Aufstiegszeit

320

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

320

NS

tf

Herbstzeit

145

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

3.50

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.8

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=30V, f=1MHz,

vGE=0V

25.9

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.68

NF

QG

Gate-Ladung

vCc=300V,Ic=300A, vGE=15V

590

nc

RGint

Innen-Gatterwiderstand

1.0

Oh

IchSc

SC-Daten

tp≤6μs,vGE=15V,

tj=125°C, VCc=360V,vCEM≤ 650 V

3600

a)

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

vRRM

Wiederholbare Spitzenumkehrspannung @ Tj=25°C

650

v

Ichf

DC Vorwärtsstrom

300

a)

IchFRM

Wiederholter Spitzenstrom vorwärts tp=1ms

600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=300A,

vGE=0V

tj=25°C

1.40

1.80

v

tj=125°C

1.40

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf=300A,

vR= 300 V,

RG= 4,7Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

12.0

μC

tj=125°C

21.2

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

153

a)

tj=125°C

185

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

2.65

m

tj=125°C

5.12

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

RθJC

Junction-to-Case (per T1,T2 IGBT)

Verbindungsstärke (pro T1,T2)Diode)

Junction-to-Case (per T3,T4 IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro T3,T4)Diode)

0.092

0.158

0.137

0.236

K/W

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

0.035

K/W

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40

150

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40

125

°C

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

340

G