IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD300SGU120C2S

Einheiten

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

- Ich weiß.

Sammlerstrom @ TC=25°C

@ TC=80℃

440

300

a)

ICM

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

600

a)

Wenn

Diodenkontinuierlicher Vorwärtsstrom @ TC=80°C

300

a)

wenn

Diode Maximale Vorwärtsstrom  tp=1ms

600

a)

PD

Maximale Leistungsauslösung @ Tj=150°C

2272

w

Tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

Tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montage-Torque

Signalterminal-Schraube:M4

1.1 bis 2.0

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5,0

n.m.

Montageschraube:M6

3,0 bis 5,0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

V(BR)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

Tj=25℃

1200

v

ICES

Abschnittswert für den Sammler

Strom

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

- Ich weiß.

IGES

Gate-Emitter Leckstrom

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

VGE(th)

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

4.4

5.2

6.0

v

VCE (Sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3.10

3.55

v

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=3.3Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

662

NS

tR

Aufstiegszeit

142

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

633

NS

tf

Herbstzeit

117

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

19.7

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.4

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=3.3Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

660

NS

tR

Aufstiegszeit

143

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

665

NS

tf

Herbstzeit

137

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

24.9

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.4

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=30V, f=1MHz,

vGE=0V

25.3

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.25

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.91

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

2550

a)

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 300A

tj=25°C

1.82

2.25

v

tj=125°C

1.95

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf=300A,

vR=600V,

RG=3.3Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

29.5

μC

tj=125°C

42.3

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

210

a)

tj=125°C

272

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

16.4

m

tj=125°C

22.7

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

0.055

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.092

K/W

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

300

G