IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

520

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

1807

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

300

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

600

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc

1.95

Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=30V, f=1MHz,

vGE=0V

28.6

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.92

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=15V

1.92

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

331

NS

tR

Aufstiegszeit

105

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

521

NS

tf

Herbstzeit

124

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

6.30

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

27.3

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

327

NS

tR

Aufstiegszeit

110

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

575

NS

tf

Herbstzeit

166

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

10.6

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

34.6

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

318

NS

tR

Aufstiegszeit

111

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

586

NS

tf

Herbstzeit

185

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

11.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

37.0

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

1200

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.85

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If=300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15 V,tj=25oc

29.3

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

236

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

14.8

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If=300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15 V, tj= 125oc

52.8

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

302

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

26.4

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If=300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15 V, tj= 150oc

60.8

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

322

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

30.4

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.18

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.083

0.111

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.061

0.082

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G