IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD300SGL170C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc= 100°C

460

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

600

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

300

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

2273

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4

1.1 bis 2.0

Anschlussdrehmoment, Schraube m6

2,5 bis 5.0

n.m.

Montagedrehmoment, Schraube m6

3,0 bis 5.0

G

Gewicht von Modul

300

G

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1700

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.4

6.2

7.4

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25°C

2.50

2.95

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=125°C

3.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=4.7Ω,VGE=±15V, tj=25°C

464

NS

tR

Aufstiegszeit

157

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

421

NS

tf

Herbstzeit

290

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

108

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.2

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=4.7Ω,VGE=±15V, tj= 125°C

483

NS

tR

Aufstiegszeit

161

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

465

NS

tf

Herbstzeit

538

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

128

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

83.7

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

20.4

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.72

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C, V Cc= 1300 v,vCEM≤1700V

960

a)

QG

Gate-Ladung

vCc=900V,Ic=300A, vGE=-15 - Ich...+15V

2.4

μC

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 300A

tj=25°C

1.80

2.25

v

tj=125°C

1.95

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf=300A,

vR=900V,

RG= 4,7Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

70.3

μC

tj=125°C

108

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

209

a)

tj=125°C

238

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

40.7

m

tj=125°C

65.1

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

0.066

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.105

K/W

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

0.035

K/W