IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD300SGL120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

600

a)

300

Ichcm(1)

Pulsierte Kollektorströmn

600

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

300

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

600

a)

pd

Maximalleistung Ablösung @ Tj= 175°C

3000

w

tSc

Kurzschluss Widerstandszeit @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tj

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert, Diode

vR=0V, t=10ms, Tj=125°C

19000

a)2s

vIso

Isolationsspannung RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montage-Torque

Signalanschluss Schraube:M4

1. 1 bis 2.0

n.m.

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

Montage Schraube:M6

3 zu 6

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

BVCES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc= 12mA,Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C

5

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25°C

1.9

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj= 125°C

2.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,

90

NS

tR

Aufstiegszeit

RG=4.7Ω, VGE = ±15 v, tj=25°C

55

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

460

NS

tf

Herbstzeit

vCc=600V,Ic=300A,

RG=4.7Ω, VGE = ±15 v, tj=25°C

55

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

28

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

25

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=300A,     RG=4.7Ω, VGE =±15 v, tj= 125°C

110

NS

tR

Aufstiegszeit

60

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

tf

Herbstzeit

60

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

31

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

27

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc =25V, f=1MHz,

vGE =0V

21

NF

c- Die

Ausgangskapazität

1.5

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.9

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10 μs, VGE=15 v,  tj=125°C, VCc=900V, vCEM≤1200 V

1300

a)

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstande, Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.18

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 300A

tj=25°C

2.0

2.4

v

tj= 125°C

2.2

2.5

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

Ichf=300A,

vR=600V,

di/dt=-2400A/μs, vGE=- 15 V

tj=25°C

27

μC

tj= 125°C

50

IchRm

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

120

a)

tj= 125°C

170

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

9

m

tj= 125°C

20

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, per Modul)

0.06

K/W

RθJC

Junction-to-Case (DIODE-Teil, pro Modul)

0.12

K/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

310

G