IGBT-Modul, 1700V 300A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1700 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
Ichc | Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc | 493 300 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 600 | a) |
pd | Maximale Energieverteilung- Das ist nicht wahr.t =175oc | 1829 | w |
Diode
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vRRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1700 | v |
Ichf | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 300 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 600 | a) |
Modul
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | oc |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | oc |
tstg | LagertemperaturBereich | -40 bis +125 | oc |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 4000 | v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc |
| 1.85 | 2.20 |
v |
Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc |
| 2.25 |
| |||
Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc |
| 2.35 |
| |||
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 1.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Nein. |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 2.5 |
| Oh |
c- Nein. | Eingangskapazität | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 36.1 |
| NF |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 0.88 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | vGE=- 15…+15V |
| 2.83 |
| μC |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
| 204 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 48 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 595 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 100 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 69.3 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 63.3 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=2.4Ω ,VGE=±15V, tj= 125oc |
| 224 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 55 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 611 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 159 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 96.8 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 99.0 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=2.4Ω ,VGE=±15V, tj= 150oc |
| 240 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 55 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 624 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 180 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 107 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 105 |
| m | |
IchSc |
SC-Daten | tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V |
|
1200 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.80 | 2.25 |
v |
Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.90 |
| |||
Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.95 |
| |||
QR | Wiederhergestellte Ladung | vR=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc |
| 55 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 297 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 32.2 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vR=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Vtj=125oc |
| 116 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 357 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 68.2 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vR=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Vtj=150oc |
| 396 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 120 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 81.6 |
| m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
Ich...c | Streuinduktivität |
|
| 20 | - Nein. |
RCC’+EE’ | Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip |
| 0.35 |
| mΩ |
RthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
| 0.082 0.129 | K/W |
RthCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
| 0.033 0.051 0.010 |
| K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | n.m. |
G | Gewicht von Modul |
| 300 |
| G |
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