IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

430

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =175oc

1851

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

300

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

600

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc

2.40

2.85

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc

2.80

Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc

2.90

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

2.3

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

20.0

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.72

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

1.8

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

464

NS

tR

Aufstiegszeit

157

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

421

NS

tf

Herbstzeit

290

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

108

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.2

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, tj=125oc

483

NS

tR

Aufstiegszeit

161

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

465

NS

tf

Herbstzeit

538

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

128

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

83.7

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, tj=150oc

492

NS

tR

Aufstiegszeit

165

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

483

NS

tf

Herbstzeit

747

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

141

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

92.1

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj= 150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V

960

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=300A,VGE=0V,Tj=125oc

1.95

Ichf=300A,VGE=0V,Tj=150oc

1.90

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

70

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

209

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

40.7

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Vtj=125oc

108

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

238

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

65.1

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Vtj=150oc

123

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

253

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

71.6

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

15

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.25

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.081

0.138

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch

0.032

0.054

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G