IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc= 100°C

3550

2400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

4800

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

2400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

4800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

12.8

kW

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

n.m.

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=96- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.4

7.4

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=2400A,VGE=15V, tj=25°C

1.95

2.40

v

Ichc=2400A,VGE=15V, tj=125°C

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=2400A, RGon= 1.0Ω,

RGoff=2.3Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

188

NS

tR

Aufstiegszeit

131

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1040

NS

tf

Herbstzeit

132

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

272

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

320

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=2400A, RGon= 1.0Ω,

RGoff=2.3Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

214

NS

tR

Aufstiegszeit

184

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1125

NS

tf

Herbstzeit

138

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

268

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

416

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

Tbd

NF

c- Die

Ausgangskapazität

Tbd

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

Tbd

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=150°C, V Cc=900V,vCEM≤ 1200 V

9000

a)

QG

Gate-Ladung

vCc=600V,Ic=2400A, vGE=-15 - Ich...+15V

Tbd

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.3

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

12

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.19

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=2400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.75

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf=2400A,

vR=600V,

RG= 1.6Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

246

μC

tj=125°C

435

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

810

a)

tj=125°C

1160

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

103

m

tj=125°C

182

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

11.7

K/kW

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

21.9

K/kW

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

6

K/kW