IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

3400

a)

2400

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

4800

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

2400

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

4800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @ Tj= 150°C

10.4

kW

tj

Maximale Junction-Temperatur

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

n.m.

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=96.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tj=25°C

5.0

6.3

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=2400A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

Ichc=2400A,VGE=15V, tj= 125°C

2.20

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

24.5

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

tj=25°C

0.13

Oh

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=2400A, RGoff=0.43Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

210

NS

tR

Aufstiegszeit

80

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

480

NS

tf

Herbstzeit

60

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

260

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

155

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=2400A, RG=0.43Ω,

vGE=±15V,Tj= 125°C

250

NS

tR

Aufstiegszeit

85

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

tf

Herbstzeit

90

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

360

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

250

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

170

NF

c- Die

Ausgangskapazität

11.4

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

7.52

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°C,VCc=900V, vCEM≤1200 V

Tbd

a)

Ich...c

Streuinduktivität

12

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstandc) Anschluss zu Chip

0.19

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=2400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.85

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf=2400A,

vR=600V,

RG=0.43Ω,

vGE=- 15 V

tj=25°C

315

μC

tj= 125°C

530

IchRm

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

2000

a)

tj= 125°C

2700

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

115

m

tj= 125°C

240

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

12

K/kW

RθJC

Junction-to-Case (pro Diode)

22

K/kW

Rθcss

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, proModul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G