IGBT-Modul, 1200V 1600A
Merkmale
niedrig vCE(sat) SPT+ IGBT-Technologie
10 μs Kurzschlussfähigkeit
vCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Niedrige Induktivität Fall
Schnelle & weiche Rückwärtsrekovery antiparallele FWD
Isoliertes Kupfer baSeplate mit DBC-Technologie
typisch Anwendungen
Wechselstromumrichter Laufwerke
Schaltmodus-Netzteil Lieferungen
Elektronische Schweißer
Absolute maximale Bewertungentc=25°C sofern nicht anders angegebented
Symbol | Beschreibung | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | Einheiten |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
Ichc | @ Tc=25°C @ Tc=80°C | 2500 | a) |
1600 | |||
IchCM(1) | Pulsierter Kollektorstrom tp= 1 ms | 3200 | a) |
Ichf | Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom | 1600 | a) |
Ichfm | Diode maximale Vorwärtsstrom | 3200 | a) |
pd | Maximale Leistungsabgabe @tj=150°C | 8.3 | kW |
tSc | Kurzschlussfestigkeitszeit @ Tj=125°C | 10 | μs |
tj | Maximale Junction-Temperatur | 150 | °C |
tstg | Lagertemperaturbereich | -40 bis +125 | °C |
Ich2t-Wert, Diode | vR=0V,t=10ms,Tj=125°C | 300 | Ka2s |
vIso | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
Montage Drehmoment | Leistungsanschluss Schraube:M4 Leistungsanschluss Schraube:M8 | 1.8 bis 2.1 8.0 bis 10 | n.m. |
Montage Schraube:M6 | 4.25 bis 5.75 | n.m. |
Elektrische Eigenschaften von - Ich weiß.tc=25°C es sei denn, es ist anders angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
BV CES | Kollektor-Emitter Abbruchspannung | tj=25°C | 1200 |
|
| v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C |
|
| 5.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C |
|
| 400 | - Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
vEG (Jahr) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc=64mA,Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc=1600A,VGE=15V, tj=25°C |
| 1.8 |
|
v |
Ichc=1600A,VGE=15V, tj=125°C |
| 2.0 |
|
Schaltcharakteristiken
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
QGE | Gate-Ladung | vGE=-15…+15V |
| 16.8 |
| μC |
t(Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic=1600A, RG=0.82Ω, vGE=±15V,Tj=25°C |
| 225 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 105 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1100 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 100 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltverlust |
| 148 |
| m | |
eaus | Ausschalt-Schaltverluste |
| 186 |
| m | |
t(Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic=1600A, RG=0.82Ω, vGE=±15V,Tj=125°C |
| 235 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 105 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1160 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 105 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltverlust |
| 206 |
| m | |
eaus | Ausschalt-Schaltverluste |
| 239 |
| m | |
c- Nein. | Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 119 |
| NF |
c- Die | Ausgangskapazität |
| 8.32 |
| NF | |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 5.44 |
| NF | |
IchSc |
SC-Daten | tsc≤10μs,VGE=15V,- Ich weiß. tj=125°C- Ich weiß. vCc=900V, vCEM ≤1200 V |
|
7000 |
|
a) |
RGint | Interne Gate-Widerstandstance |
|
| 0.1 |
| Oh |
Ich...c | Streuinduktivität |
|
| 12 |
| - Nein. |
RCc’+EE’ | Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zu Chip | tc=25°C |
| 0.19 |
| mOh |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten | |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf=1600A | tj=25°C |
| 2.1 |
| v |
tj=125°C |
| 2.2 |
| ||||
QR | Wiederhergestellte Ladung |
Ichf=1600A, vR=600V, di/dt=-7500A/μs, vGE=-15V | tj=25°C |
| 73 |
| μC |
tj=125°C |
| 175 |
| ||||
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | tj=25°C |
| 510 |
| a) | |
tj=125°C |
| 790 |
| ||||
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie | tj=25°C |
| 17 |
| m | |
tj=125°C |
| 46 |
|
Thermische Eigenschaften
Symbol | Parameter | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
RθJC | Verbindung zum Gehäuse (IGBT-Teil, proModul) |
| 15 | K/kW |
RθJC | Junction-to-Case (Diodenteil, pro M(siehe auch |
| 26 | K/kW |
RθCS | Gehäuse zu Sink (Leitfähige Paste aufgetragen, peer Modul) | 6 |
| K/kW |
Gewicht | Gewicht von Modul | 1500 |
| G |
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