IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

2500

a)

1600

IchCM(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

3200

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

1600

a)

Ichfm

Diode maximale Vorwärtsstrom

3200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @tj=150°C

8.3

kW

tSc

Kurzschlussfestigkeitszeit    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert, Diode

vR=0V,t=10ms,Tj=125°C

300

Ka2s

vIso

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

n.m.

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vEG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=64mA,Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=1600A,VGE=15V, tj=25°C

1.8

v

Ichc=1600A,VGE=15V, tj=125°C

2.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QGE

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

16.8

μC

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=1600A, 

RG=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

225

NS

tR

Aufstiegszeit

105

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1100

NS

tf

Herbstzeit

100

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

148

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

186

m

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=1600A, 

RG=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

235

NS

tR

Aufstiegszeit

105

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1160

NS

tf

Herbstzeit

105

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

206

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

239

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

119

NF

c- Die

Ausgangskapazität

8.32

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

5.44

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,- Ich weiß.

tj=125°C- Ich weiß.

vCc=900V, vCEM ≤1200 V

7000

a)

RGint

Interne Gate-Widerstandstance

0.1

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

12

- Nein.

RCc’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.19

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=1600A

tj=25°C

2.1

v

tj=125°C

2.2

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf=1600A,

vR=600V,

di/dt=-7500A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

73

μC

tj=125°C

175

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

510

a)

tj=125°C

790

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

17

m

tj=125°C

46

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (IGBT-Teil, proModul)

15

K/kW

RθJC

Junction-to-Case (Diodenteil, pro M(siehe auch

26

K/kW

RθCS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, peer Modul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G