IGBT-Modul,1200V 1200A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Beschreibung | GD1200HFL120C3S | Einheiten |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
Ichc | Sammler-Strom @tc=25°C @ Tc= 100°C | 1900 1200 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp= 1m | 2400 | a) |
Ichf | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 1200 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 2400 | a) |
pd | Maximale Leistungsabgabe @ Tj= 175°C | 6.41 | kW |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | °C |
t- Was ist los? | Maximale Junction-Temperatur | -40 bis +150 | °C |
tstg | LagertemperaturBereich | -40 bis +125 | °C |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 4000 | v |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M4 | 1.8 bis 2.1 |
|
Anschlussdrehmoment, Schraube M8 | 8.0 bis 10 | n.m. | |
Montagedrehmoment, Schraube m6 | 4.25 bis 5.75 |
| |
G | Gewicht von Modul | 1500 | G |
elektrische Eigenschaften von - Ich weiß. tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
v(Br)CES | Kollektor-Emitter Abbruchspannung | tj=25°C | 1200 |
|
| v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C |
|
| 5.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C |
|
| 400 | - Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc=48.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C | 5.4 |
| 7.4 | v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=25°C |
| 1.95 | 2.40 |
v |
Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=125°C |
| 2.10 |
|
Schaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 1200A, RGon=2. 1Ω,RGoff=4.5Ω,vGE=±15 V,Tj=25°C |
| 200 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 135 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1050 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 130 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 136 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 160 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 1200A, RGon=2. 1Ω,RGoff=4.5Ω,vGE=±15 V,Tj= 125°C |
| 220 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 190 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1150 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 140 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 184 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 208 |
| m | |
c- Nein. | Eingangskapazität | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 84.8 |
| NF |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 3.76 |
| NF | |
IchSc | SC-Daten | tp≤ 10 μs, VGE=15 v, tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
| 4500 |
| a) |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 2.7 |
| Oh |
Ich...c | Streuinduktivität |
|
| 20 |
| - Nein. |
RCC’+EE’ | Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten | |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf= 1200a | tj=25°C |
| 1.65 | 2.20 | v |
tj=125°C |
| 1.75 |
| ||||
QR | Wiederhergestellt Gebühr | Ichf= 1200A, vR=600V, RGon=2. 1Ω, vGE=-15V | tj=25°C |
| 400 |
| μC |
tj=125°C |
| 680 |
| ||||
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | tj=25°C |
| 1400 |
| a) | |
tj=125°C |
| 1840 |
| ||||
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie | tj=25°C |
| 160 |
| m | |
tj=125°C |
| 296 |
|
Thermische EigenschaftenIcs
Symbol | Parameter | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
RθJC | Junction-to-Case (pro IGBT) |
| 23.4 | K/kW |
RθJC | Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
| 46.1 | K/kW |
Rθcss | Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen) | 6 |
| K/kW |
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