IGBT-Diskrete

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oC   @ Tc=100oc

150

75

a)

Ichcm

pulsiert Sammler Strom- Ich weiß.tp- Ich weiß.Begrenzt von tvjmax

225

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ TVj=175oc

852

w

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vRRM

Wiederholte SpitzenrückwärtsvoltAlter

1200

v

Ichf

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent

75

a)

Ichfm

pulsiert Sammler Strom- Ich weiß.tp- Ich weiß.Begrenzt von tvjmax

225

a)

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

tvjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-55 bis +150

oc

ts

Löt Temperatur,1.6mm from Gehäuse für 10 Sekunden

260

oc

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ichc= 75A,VGE=15V, tVj=25oc

1.75

2.20

v

Ichc= 75A,VGE=15V, tVj=150oc

2.10

Ichc= 75A,VGE=15V, tVj=175oc

2.20

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 3,00- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tVj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.ausStrom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tVj=25oc

250

μA

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tVj=25oc

100

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

2.0

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

6.58

NF

c- Die

Ausgangskapazität

0.40

cAufnahme

Rückübertragungs- Kapazität

0.19

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

0.49

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 75A,- Das ist nicht wahr.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, Ls=40nH,

tVj=25oc

41

NS

tR

Aufstiegszeit

135

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

87

NS

tf

Herbstzeit

255

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

12.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.6

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 75A,- Das ist nicht wahr.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, Ls=40nH,

tVj=150oc

46

NS

tR

Aufstiegszeit

140

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

164

NS

tf

Herbstzeit

354

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

17.6

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.3

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 75A,- Das ist nicht wahr.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, Ls=40nH,

tVj=175oc

46

NS

tR

Aufstiegszeit

140

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

167

NS

tf

Herbstzeit

372

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

18.7

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.7

m

IchSc

SC-Daten

tp≤10μs,vGE=15V,

tVj=175oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V

300

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts Spannung

Ichf= 75A,VGE=0V,TVj=25oc

1.75

2.20

v

Ichf= 75A,VGE=0V,TVj=150oc

1.75

Ichf= 75A,VGE=0V,TVj=175oc

1.75

trr

Diode Rückwärts- Ich weiß.Erholungszeit

vR=600V,If= 75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH,

tVj=25oc

267

NS

QR

Wiederhergestellte Ladung

4.2

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

22

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.1

m

trr

Diode Rückwärts- Ich weiß.Erholungszeit

vR=600V,If= 75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH,

tVj=150oc

432

NS

QR

Wiederhergestellte Ladung

9.80

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

33

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.7

m

trr

Diode Rückwärts- Ich weiß.Erholungszeit

vR=600V,If= 75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH,

tVj=175oc

466

NS

QR

Wiederhergestellte Ladung

11.2

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

35

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.1

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.176 0.371

K/W

RDie

Verbindung zum Umfeld

40

K/W