Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

GD400HFT170C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

615

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

800

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

2.49

КВт

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Максимальная температура стыка

-40 до +150

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4

1.8 до 2.1

Крутящий момент соединения терминала, Винт М8

8,0 до 10

Н.М

Крутящий момент установки, Шуруп M6

4,25 - 5,75

g

Вес Модуль

1500

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1700

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃

2.00

2.45

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 ℃

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =3.6Ω,V GE =±15В, т j =25 ℃

281

NS

т р

Время нарастания

79

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

795

NS

т F

Время спада

120

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

104

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

86

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =3.6Ω,V GE =±15В, т j =125 ℃

299

NS

т р

Время нарастания

102

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

998

NS

т F

Время спада

202

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

136

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

124

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

35.3

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.17

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1600

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.1

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.37

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

т j =25 ℃

1.80

2.20

в

т j =125 ℃

1.90

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =400A,

в р = 900 В,

р g =3,6Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

100

μC

т j =125 ℃

170

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

440

A

т j =125 ℃

480

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

54.0

mJ

т j =125 ℃

95.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

60.3

К/кВт

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

109

К/кВт

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

6

К/кВт