1200В 1200А
Краткое введение
Модуль IGBT, произведенный компанией STARPOWER. 1200В 1200А.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги тC=25℃ если только иначе отмечено
Символ | Описание | GD1200SGT120A3S | Единицы |
вCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | в |
вГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
ЯC | Ток коллектора @тC=25℃ @ TC=80℃ | 2100 1200 | A |
ЯCM | Импульсный ток коллектора tР=1MS | 2400 | A |
ЯF | Диод непрерывно переднийарендная плата | 1200 | A |
ЯЧМ | Максимальный прямой ток диода tР=1 мс | 2400 | A |
РД | Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175℃ | 7.61 | КВт |
тjmax | Максимальная температура стыка | 175 | ℃ |
тСТГ | температура храненияЗапас хода | -40 до +125 | ℃ |
вИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1мин | 2500 | в |
Монтаж Крутящий момент | Свинцовый конец сигнального устройства:M4 | 1.8 до 2.1 |
|
Свинцовый конец питания:M8 | 8,0 до 10 | Н.М | |
Монографный винт:M6 | 4,25 - 5,75 |
|
Электрический Характеристики из IGBT тC=25℃ если только иначе отмечено
Не характеризуется
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в(БР)CES | Сборщик-выпускник Предельное напряжение | тj=25℃ | 1200 |
|
| в |
ЯCES | Коллектор Отсечение-ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | вСЕ=вCES,вGE=0V,тj=25℃ |
|
| 5.0 | mA |
ЯГЭС | Утечка излучателя ток | вGE=вГЭС,вСЕ=0V, тj=25℃ |
|
| 400 | НД |
О характеристиках
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
вGE(т) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | ЯC=48mA,вСЕ=вGE, тj=25℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | в |
вCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | ЯC= 1200А,ВGE=15В, тj=25℃ |
| 1.70 | 2.15 |
в |
ЯC= 1200А,ВGE=15В, тj=125℃ |
| 2.00 |
|
Смена характеристик
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
тД(НА) | Время задержки включения |
вCC= 600 В,IC=1200A, рГон=1,8Ω,рГофф= 0,62Ω,вGE=±15В,Тj=25℃ |
| 550 |
| NS |
тр | Время нарастания |
| 230 |
| NS | |
тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ) | Выключение Время задержки |
| 830 |
| NS | |
тF | Время спада |
| 160 |
| NS | |
еНА | Включить Переключение Потеря |
| / |
| mJ | |
еВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| / |
| mJ | |
тД(НА) | Время задержки включения |
вCC= 600 В,IC= 1200А, рГон= 1,8Ω,RГофф= 0,62Ω,вGE=±15В,Тj=125℃ |
| 650 |
| NS |
тр | Время нарастания |
| 240 |
| NS | |
тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ) | Выключение Время задержки |
| 970 |
| NS | |
тF | Время спада |
| 190 |
| NS | |
еНА | Включить Переключение Потеря |
| 246 |
| mJ | |
еВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 189 |
| mJ | |
Cies | Входной пропускной способностью | вСЕ=25В, f=1МГц, вGE=0В |
| 85.5 |
| НФ |
C- Да. | Выходной объем |
| 4.48 |
| НФ | |
Cres | Обратная передача Пропускная способность |
| 3.87 |
| НФ | |
ЯSC |
Данные SC | тР≤ 10 мкс,ВGE=15 В, тj=125°C, вCC= 900 В, вСМК≤ 1200 В |
|
4800 |
|
A |
рГинт | Внутренний затвор сопротивление |
|
| 1.9 |
| Ω |
ЛСЕ | Индуктивность отклоняющейся |
|
| 15 |
| nH |
рCC+EE | Модуль свинцовый Сопротивление, Терминал на чип |
|
|
0.10 |
|
мОм |
Электрический Характеристики из Диод тC=25℃ если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | |
вF | Диод вперед Напряжение | ЯF= 1200A | тj=25℃ |
| 1.65 | 2.05 | в |
тj=125℃ |
| 1.65 |
| ||||
Qр | Восстановлено заряд | ЯF= 1200А, вр=600 В, рГон= 0,6Ω, вGE= 15 В | тj=25℃ |
| 112 |
| μC |
тj=125℃ |
| 224 |
| ||||
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления | тj=25℃ |
| 850 |
| A | |
тj=125℃ |
| 1070 |
| ||||
еrec | Обратное восстановлениеэнергия | тj=25℃ |
| 48.0 |
| mJ | |
тj=125℃ |
| 96.0 |
| ||||
Тепловой характеристикика
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Единицы |
рθД.К. | Соединение с делом (на IGB)T) |
| 19.7 | К/кВт |
рθД.К. | Соединение с корпусом (на D)йода) |
| 31.3 | К/кВт |
рθКС | Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь) | 8 |
| К/кВт |
Вес | Вес Модуль | 1050 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
