Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD2400SGT120C4S

Единицы

вCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

вГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

ЯC

Ток коллектора @тC=25℃

@ TC= 100℃

3800

2400

A

ЯCM

Импульсный ток коллектора tР=1MS

4800

A

ЯF

Диод непрерывно переднийарендная плата

2400

A

ЯЧМ

Максимальный прямой ток диода tР=1 мс

4800

A

РД

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175℃

12.9

КВт

тjmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

тСТГ

температура храненияЗапас хода

-40 до +125

℃

вИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1мин

3400

в

Монтаж Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Вес

Вес Модуль

2300

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в(БР)CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

тj=25℃

1200

в

ЯCES

Коллектор Отсечение-ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

вСЕ=вCES,вGE=0V,тj=25℃

5.0

mA

ЯГЭС

Утечка излучателя ток

вGE=вГЭС,вСЕ=0V, тj=25℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

вGE(т)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

ЯC=96mA,вСЕ=вGE, тj=25℃

5.0

5.8

6.5

в

вCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

ЯC= 2400A,VGE=15В, тj=25℃

1.70

2.15

в

ЯC= 2400A,VGE=15В, тj=125℃

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC= 2400A, рГон= 1,2Ω,

рГофф= 0,3Ω,

вGE=±15В,Тj=25℃

600

NS

тр

Время нарастания

215

NS

тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ)

Выключение Время задержки

810

NS

тF

Время спада

145

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

/

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

/

mJ

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC= 2400A, рГон= 1,2Ω,

рГофф= 0,3Ω,

вGE=±15В,Тj= 125℃

695

NS

тр

Время нарастания

235

NS

тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ)

Выключение Время задержки

970

NS

тF

Время спада

182

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

488

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

382

mJ

Cies

Входной пропускной способностью

вСЕ=25В, f=1МГц,

вGE=0В

173

НФ

C- Да.

Выходной объем

9.05

НФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

7.85

НФ

ЯSC

Данные SC

тР≤ 10 мкс,ВGE=15 В,

тj=125°C,вCC= 900 В, вСМК≤ 1200 В

9600

A

Qg

Сбор за вход

вCC= 600 В,IC= 2400A, вGE=-15 ﹍+15В

23.0

μC

рГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.42

Ω

ЛСЕ

Индуктивность отклоняющейся

10

nH

рCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.12

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

вF

Диод вперед

Напряжение

ЯF= 2400A

вGE=0В

тj=25℃

1.65

2.05

в

тj=125℃

1.65

Qр

Восстановлено

заряд

ЯF= 2400A,

вр=600 В,

рГон= 0,3Ω,

вGE= 15 В

тj=25℃

240

μC

тj=125℃

460

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

тj=25℃

1650

A

тj=125℃

2150

еrec

Обратное восстановлениеэнергия

тj=25℃

/

mJ

тj=125℃

208

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

рθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

11.6

К/кВт

рθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

19.7

К/кВт

рθКС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

4

К/кВт