GD900HFA120C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =90 О C

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

3409

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1800

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t Р = 10 мс @ т j =25 О C @ T j =150 О C

4100

3000

A

Я 2т

Я 2t-значение,t Р = 10 мс @ T j =25 О C

@ T j =150 О C

84000

45000

A 2s

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =900A,V GE =15В, т j =25 О C

1.40

1.85

В

Я C =900A,V GE =15В, т j =125 О C

1.60

Я C =900A,V GE =15В, т j =175 О C

1.65

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.5

6.3

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

51.5

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.36

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

13.6

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, В GE =-8V/+15V,

т j =25 О C

330

NS

т R

Время нарастания

140

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

842

NS

т F

Время спада

84

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

144

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

87.8

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, В GE =-8V/+15V,

т j =125 О C

373

NS

т R

Время нарастания

155

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

915

NS

т F

Время спада

135

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

186

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

104

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, В GE =-8V/+15V,

т j =175 О C

390

NS

т R

Время нарастания

172

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

950

NS

т F

Время спада

162

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

209

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

114

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤8μs,V GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200В

3200

A

т Р ≤6μs,V GE =15В,

т j =175 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T j =25 О C

1.55

2.00

В

Я F =900A,V GE =0V,T j =1 25О C

1.65

Я F =900A,V GE =0V,T j =1 75О C

1.55

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,т j =25 О C

91.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

441

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.3

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,т j =125 О C

141

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

493

A

е rec

Обратное восстановление энергия

42.5

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,т j =175 О C

174

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

536

A

е rec

Обратное восстановление энергия

52.4

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.044

0.076

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028

0.049

0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g