Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

вCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

вГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

ЯC

Коллекторный ток @ TC=90ОC

900

A

ЯCM

Импульсный ток коллектора tР=1 мс

1800

A

РД

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175ОC

3409

В

Символ

Описание

Ценности

единица

вRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениеВозраст

1200

в

ЯF

Диод непрерывно переднийарендная плата

900

A

ЯЧМ

Максимальный прямой ток диода tР=1 мс

1800

A

ЯФСМ

Напряжение вперед tР= 10 мс @тj=25ОC   @ Tj=150ОC

4100

3000

A

Я2т

Я2t-значение,tР= 10 мс @ Tj=25ОC

@ Tj=150ОC

84000

45000

A2s

Символ

Описание

значение

единица

тjmax

Максимальная температура стыка

175

ОC

т- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

ОC

тСТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

ОC

вИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t=1min

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

вCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

ЯC=900A,VGE=15В, тj=25ОC

1.40

1.85

в

ЯC=900A,VGE=15В, тj=125ОC

1.60

ЯC=900A,VGE=15В, тj=175ОC

1.65

вGE(т)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

ЯC=24.0mA,вСЕ=вGE, тj=25ОC

5.5

6.3

7.0

в

ЯCES

Коллектор Отсечение-ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

вСЕ=вCES,вGE=0V,

тj=25ОC

1.0

mA

ЯГЭС

Утечка излучателя ток

вGE=вГЭС,вСЕ=0V,тj=25ОC

400

НД

рГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

Ω

Cies

Входной пропускной способностью

вСЕ=25V,f=100kHz, вGE=0В

51.5

НФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

0.36

НФ

Qg

Сбор за вход

вGE=- 15…+15В

13.6

μC

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC=900A,рg=0.51Ω, Ls=40nH, вGE=-8V/+15V,

тj=25ОC

330

NS

тр

Время нарастания

140

NS

тd(off)

Выключение Время задержки

842

NS

тF

Время спада

84

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

144

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

87.8

mJ

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC=900A,рg=0.51Ω, Ls=40nH, вGE=-8V/+15V,

тj=125ОC

373

NS

тр

Время нарастания

155

NS

тd(off)

Выключение Время задержки

915

NS

тF

Время спада

135

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

186

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

104

mJ

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC=900A,рg=0.51Ω, Ls=40nH, вGE=-8V/+15V,

тj=175ОC

390

NS

тр

Время нарастания

172

NS

тd(off)

Выключение Время задержки

950

NS

тF

Время спада

162

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

209

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

114

mJ

ЯSC

Данные SC

тР≤8μs,VGE=15В,

тj=150ОC,VCC=800V, вСМК ≤1200В

3200

A

тР≤6μs,VGE=15В,

тj=175ОC,VCC=800V, вСМК ≤1200В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

вF

Диод вперед

Напряжение

ЯF=900A,VGE=0V,Tj=25ОC

1.55

2.00

в

ЯF=900A,VGE=0V,Tj=125ОC

1.65

ЯF=900A,VGE=0V,Tj=175ОC

1.55

Qр

Восстановленная зарядка

вр= 600 В,IF=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Лs=40nH,тj=25ОC

91.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

441

A

еrec

Обратное восстановление энергия

26.3

mJ

Qр

Восстановленная зарядка

вр= 600 В,IF=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Лs=40nH,тj=125ОC

141

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

493

A

еrec

Обратное восстановление энергия

42.5

mJ

Qр

Восстановленная зарядка

вр= 600 В,IF=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Лs=40nH,тj=175ОC

174

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

536

A

еrec

Обратное восстановление энергия

52.4

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р100

тC=100 ОC,R100=493.3Ω

-5

5

%

Р25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B25/50

B-значение

р2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

3375

к

B25/80

B-значение

р2=R25Эксп[B25/80(1/T2-

1/(298.15K))]

3411

к

B25/100

B-значение

р2=R25Эксп[B25/100(1/T2-

1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

ЛСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

рCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

рthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.044

0.076

K/W

рthCH

Корпус к радиатору (наIGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Корпус к радиатору (наМодуль)

0.028

0.049

0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g