1700В 650А
Краткое введение действие
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700В 650А
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе Заметка
IGBT
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C = 100О C |
1073 650 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
1300 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C |
4.2 |
КВт |
Диод
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
В |
Я F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
650 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
1300 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
значение |
единица |
т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
О C |
т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
О C |
т СТГ |
температура хранения Запас хода |
-40 до +150 |
О C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту |
4000 |
В |
IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =650A,V GE =15В, т j =25 О C |
|
1.90 |
2.35 |
В |
Я C =650A,V GE =15В, т j =125 О C |
|
2.35 |
|
|||
Я C =650A,V GE =15В, т j =150 О C |
|
2.45 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C |
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C |
|
|
400 |
НД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
2.3 |
|
Ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
72.3 |
|
НФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.75 |
|
НФ |
|
Q g |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
5.66 |
|
μC |
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j =25 О C |
|
468 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
86 |
|
NS |
|
т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
850 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
363 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
226 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
161 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 125О C |
|
480 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
110 |
|
NS |
|
т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
1031 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
600 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
338 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
226 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 150О C |
|
480 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
120 |
|
NS |
|
т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
1040 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
684 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
368 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
242 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В, т j =150 О C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V |
|
2600 |
|
A |
Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =650A,V GE =0V,T j =25 О C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я F =650A,V GE =0V,T j = 125О C |
|
1.98 |
|
|||
Я F =650A,V GE =0V,T j = 150О C |
|
2.02 |
|
|||
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C |
|
176 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
765 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
87.4 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C |
|
292 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
798 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
159 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C |
|
341 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
805 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
192 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
ΔR/R |
Отклонение из R 100 |
т C = 100 О C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Р 25 |
Мощность рассеяние |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
к |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
к |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
к |
Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.30 |
|
мОм |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
|
35.8 71.3 |
К/кВт |
R thCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
К/кВт |
м |
Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
Н.М |
g |
Вес из Модуль |
|
810 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.