1700В 650А
Краткое введениедействие
Модуль IGBT, произведенный компанией STARPOWER. 1700В 650А
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги тC=25ОC если только иначе Заметка
IGBT
Символ | Описание | значение | единица |
вCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1700 | в |
вГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
ЯC | Коллекторный ток @ TC=25ОC @ TC= 100ОC | 1073 650 | A |
ЯCM | Импульсный ток коллектора tР=1 мс | 1300 | A |
РД | Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175ОC | 4.2 | КВт |
Диод
Символ | Описание | значение | единица |
вRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1700 | в |
ЯF | Диод непрерывно переднийарендная плата | 650 | A |
ЯЧМ | Максимальный прямой ток диода tР=1 мс | 1300 | A |
Модуль
Символ | Описание | значение | единица |
тjmax | Максимальная температура стыка | 175 | ОC |
т- Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +150 | ОC |
тСТГ | температура храненияЗапас хода | -40 до +150 | ОC |
вИСО | Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t=1 минуту | 4000 | в |
IGBT Характеристики тC=25ОC если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
вCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | ЯC=650A,VGE=15В, тj=25ОC |
| 1.90 | 2.35 |
в |
ЯC=650A,VGE=15В, тj=125ОC |
| 2.35 |
| |||
ЯC=650A,VGE=15В, тj=150ОC |
| 2.45 |
| |||
вGE(т) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | ЯC=24.0mA,вСЕ=вGE, тj=25ОC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | в |
ЯCES | Коллектор Отсечение-ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | вСЕ=вCES,вGE=0V, тj=25ОC |
|
| 5.0 | mA |
ЯГЭС | Утечка излучателя ток | вGE=вГЭС,вСЕ=0V,тj=25ОC |
|
| 400 | НД |
рГинт | Внутренний портал сопротивленияance |
|
| 2.3 |
| Ω |
Cies | Входной пропускной способностью | вСЕ=25В, f=1МГц, вGE=0В |
| 72.3 |
| НФ |
Cres | Обратная передача Пропускная способность |
| 1.75 |
| НФ | |
Qg | Сбор за вход | вGE=- 15…+15В |
| 5.66 |
| μC |
тД(НА) | Время задержки включения |
вCC=900V,IC=650A, рГон= 1,8Ω,RГофф=2.7Ω,вGE=±15В,Тj=25ОC |
| 468 |
| NS |
тр | Время нарастания |
| 86 |
| NS | |
тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ) | Выключение Время задержки |
| 850 |
| NS | |
тF | Время спада |
| 363 |
| NS | |
еНА | Включить Переключение Потеря |
| 226 |
| mJ | |
еВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 161 |
| mJ | |
тД(НА) | Время задержки включения |
вCC=900V,IC=650A, рГон= 1,8Ω,RГофф=2.7Ω,вGE=±15В,Тj= 125ОC |
| 480 |
| NS |
тр | Время нарастания |
| 110 |
| NS | |
тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ) | Выключение Время задержки |
| 1031 |
| NS | |
тF | Время спада |
| 600 |
| NS | |
еНА | Включить Переключение Потеря |
| 338 |
| mJ | |
еВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 226 |
| mJ | |
тД(НА) | Время задержки включения |
вCC=900V,IC=650A, рГон= 1,8Ω,RГофф=2.7Ω,вGE=±15В,Тj= 150ОC |
| 480 |
| NS |
тр | Время нарастания |
| 120 |
| NS | |
тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ) | Выключение Время задержки |
| 1040 |
| NS | |
тF | Время спада |
| 684 |
| NS | |
еНА | Включить Переключение Потеря |
| 368 |
| mJ | |
еВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 242 |
| mJ | |
ЯSC |
Данные SC | тР≤ 10 мкс,ВGE=15В, тj=150ОC,VCC= 1000V,вСМК≤1700V |
|
2600 |
|
A |
Диод Характеристики тC=25ОC если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
вF | Диод вперед Напряжение | ЯF=650A,VGE=0V,Tj=25ОC |
| 1.85 | 2.30 |
в |
ЯF=650A,VGE=0V,Tj= 125ОC |
| 1.98 |
| |||
ЯF=650A,VGE=0V,Tj= 150ОC |
| 2.02 |
| |||
Qр | Восстановленная зарядка | вр=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15Втj=25ОC |
| 176 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 765 |
| A | |
еrec | Обратное восстановлениеэнергия |
| 87.4 |
| mJ | |
Qр | Восстановленная зарядка | вр=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15В тj= 125ОC |
| 292 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 798 |
| A | |
еrec | Обратное восстановлениеэнергия |
| 159 |
| mJ | |
Qр | Восстановленная зарядка | вр=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15В тj= 150ОC |
| 341 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 805 |
| A | |
еrec | Обратное восстановлениеэнергия |
| 192 |
| mJ |
НТЦ Характеристики тC=25ОC если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
р25 | Номинальное сопротивление |
|
| 5.0 |
| кΩ |
ΔR/R | Отклонение из р100 | тC= 100 ОC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
Р25 | Мощность рассеяние |
|
|
| 20.0 | мВт |
B25/50 | B-значение | р2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| к |
B25/80 | B-значение | р2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| к |
B25/100 | B-значение | р2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| к |
Модуль Характеристики тC=25ОC если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
ЛСЕ | Индуктивность отклоняющейся |
| 18 |
| nH |
рCC+EE | Сопротивление вывода модуля,Терминал на чип |
| 0.30 |
| мОм |
рthJC | Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на D)йода) |
|
| 35.8 71.3 | К/кВт |
рthCH | Корпус к радиатору (наIGBT) Корпус к радиатору (пер диод) Корпус к радиатору (наМодуль) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| К/кВт |
м | Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное СоединениеКрутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
Н.М |
g | Вес из Модуль |
| 810 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
