Все категории

Модуль IGBT 1700В

Модуль IGBT 1700В

главная страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1700В

GD650HFX170P1S,IGBT Модуль,STARPOWER

1700В 650А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD650HFX170P1S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение действие

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700В 650А

Особенности

  • Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT ТЕХНОЛОГИЯ
  • 10 мкм Краткосвязь Иллитет
  • В СЕ (сидел ) С положительный Температура коэффициент
  • Максимальное температура соединения 175О C
  • Увеличенный диод для регенеративного Операция
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
  • Высокая мощность и термическая цикличность сущность

Типовой Применения

  • Высоковольтный преобразователь
  • Ветро- и солнечная энергия
  • Привод тяги

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе Заметка

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

1073

650

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1300

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

4.2

КВт

Диод

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

650

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1300

A

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +150

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =650A,V GE =15В, т j =25 О C

1.90

2.35

В

Я C =650A,V GE =15В, т j =125 О C

2.35

Я C =650A,V GE =15В, т j =150 О C

2.45

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.3

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

72.3

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.75

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

5.66

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j =25 О C

468

NS

т R

Время нарастания

86

NS

т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

850

NS

т F

Время спада

363

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

226

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

161

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 125О C

480

NS

т R

Время нарастания

110

NS

т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1031

NS

т F

Время спада

600

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

338

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

226

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 150О C

480

NS

т R

Время нарастания

120

NS

т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1040

NS

т F

Время спада

684

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

368

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

242

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V

2600

A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =650A,V GE =0V,T j =25 О C

1.85

2.30

В

Я F =650A,V GE =0V,T j = 125О C

1.98

Я F =650A,V GE =0V,T j = 150О C

2.02

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

176

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

765

A

е rec

Обратное восстановление энергия

87.4

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

292

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

798

A

е rec

Обратное восстановление энергия

159

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

341

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

805

A

е rec

Обратное восстановление энергия

192

mJ

НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из R 100

т C = 100 О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

18

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.30

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

35.8

71.3

К/кВт

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

13.5

26.9

4.5

К/кВт

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

810

g

Основные положения

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000