Все категории

Модуль IGBT 1700В

Модуль IGBT 1700В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1700В

GD400CUT170C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

1700 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CUT170C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700V 400A.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая) Опоры IGBT Технология
  • Низкие потери при переключении
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

  • Двигатели инверторов переменного тока
  • Импульсные источники питания

IGBT т C =25 если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD400CUT170C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектора-излучателя @ T j =25

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25

@ T C =80

650

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р - Да.

Общая рассеиваемость мощности @ T j = 150

2403

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =150

10

μs

Не характеризуется

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25

1700

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25

3.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25

400

НД

О характеристиках

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C = 16mA,V СЕ =V GE , т j =25

5.2

5.8

6.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25

2.00

2.45

в

Я C =400A,V GE =15В, т j = 125

2.40

Смена характеристик

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =3.6Ω,V GE = ± 15V, т j =25

278

NS

т р

Время нарастания

81

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

802

NS

т F

Время спада

119

NS

е НА

Включить Потери при переключении

104

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

86

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =3.6Ω,V GE = ± 15V, т j = 125

302

NS

т р

Время нарастания

99

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1002

NS

т F

Время спада

198

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

в CC =900V,I C =400A, р g =3.6Ω,V GE = ± 15V, т j = 125

136

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

124

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

36

PF

C - Да.

Выходной объем

1.5

PF

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.2

PF

р Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

1.9

Ω

Я SC

Данные SC

т Р 10 мс,В GE =15В, т j =125 V CC = 1000V, в СМК 1700В

1600

A

Диод т C =25 если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD400CUT170C2S

Единицы

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение @ Tj=25

1700

в

Я F

Продолжающий ток @ T C =80

100

A

Я ФРМ

Повторяющийся пик прямого тока t Р =1 мс

200

A

Я 2т

Я 2t-значение,V р =0V,T Р =1 0 мс,T j =125

1800

A 2s

Характеристики Ценности

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 100А,В GE =0В

т j =25

1.80

2.20

в

т j = 125

1.90

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F = 100А,

в р = 900 В,

di/dt=-2450A/μs, в GE =- 15В

т j =25

29.0

μC

т j = 125

48.5

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25

155

A

т j = 125

165

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25

15.5

mJ

т j = 125

27.5

Модуль IGBT

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE

Модуль сопротивления свинцу, терминал к чипу @ T C =25

0.35

м Ω

р θ Д.К.

Соединение с корпусом

(IGBT-инвертор, в 1/2 Моду (с)

0.052

K/W

Соединение с корпусом

(ДИОД-тормозный отсекатель на 1/2 модуль)

0.280

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

т j

Максимальная температура стыка

150

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40

125

Монтаж

Крутящий момент

Терминал питания Винт: M6

2.5

5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3.0

5.0

g

Вес из Модуль

300

g

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000