Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Ic

Коллекторный ток @ TC=25oC

Коллекторный ток @ TC=65oC

4446

3600

A

МКК

Импульсный ток коллектора tp=1ms

7200

A

ПД

Максимальная мощность рассеяния @ Tj=175oC

15.3

КВт

Символ

Описание

значение

единица

VRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

в

IF

Диод непрерывного прямого тока

3600

A

ИФМ

Максимальный прямой ток диода tp=1ms

7200

A

Символ

Описание

значение

единица

Tjmax

Максимальная температура стыка

175

^О C

- Что?

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

^О C

ТСТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

^О C

Визо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

VCE(sat)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

в

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE (th)

Пороговое напряжение выпускателя

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

в

ICES

Ток коллектора отключения

ток

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Ток утечки излучателя врат

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

НД

RGint

Сопротивление внутреннего воротника

0.53

Ω

- Да, конечно.

Входной пропускной способностью

VCE=25V, f=1Mhz,

ВГЭ=0В

240

НФ

Крес

Обратная передача

Пропускная способность

8.64

НФ

Главный офис

Сбор за вход

VGE=+15…+15V

21.6

μC

td(on)

Время задержки включения

ВВС=900В, IC=3600А, RG=0,5Ω, VGE=±15В, Tj=25oC

660

NS

tr

Время нарастания

280

NS

td(off)

Время задержки выключения

1600

NS

TF

Время спада

175

NS

EON

Включение переключения

Потеря

650

mJ

EOFF

Выключатель

Потеря

1100

mJ

td(on)

Время задержки включения

ВВС=900В, IC=3600А, RG=0,5Ω, VGE=±15В, Tj=125oC

740

NS

tr

Время нарастания

290

NS

td(off)

Время задержки выключения

1800

NS

TF

Время спада

315

NS

EON

Включение переключения

Потеря

800

mJ

EOFF

Выключатель

Потеря

1500

mJ

td(on)

Время задержки включения

ВВС=900В, IC=3600А, RG=0,5Ω, VGE=±15В, Tj=150oC

780

NS

tr

Время нарастания

295

NS

td(off)

Время задержки выключения

1850

NS

TF

Время спада

395

NS

EON

Включение переключения

Потеря

900

mJ

EOFF

Выключатель

Потеря

1600

mJ

Isc

Данные SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

кА

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

VF

Диод вперед

Напряжение

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

в

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

Восстановленная зарядка

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

МРТ

Пик обратный

Ток восстановления

2600

A

Erec

Энергия обратной рекуперации

490

mJ

Qr

Восстановленная зарядка

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

МРТ

Пик обратный

Ток восстановления

3150

A

Erec

Энергия обратной рекуперации

950

mJ

Qr

Восстановленная зарядка

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

МРТ

Пик обратный

Ток восстановления

3300

A

Erec

Энергия обратной рекуперации

1100

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

ЛСО

Индуктивность отклоняющейся

6.0

nH

RCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.12

мОм

RthJC

Соединение с корпусом (на IGBT)

Соединение с корпусом (на диод)

9.8

16.3

К/кВт

RthCH

Корпус-к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (на диод)

Корпус к радиатору (на модуль)

6.5

10.7

4.0

К/кВт

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M4 Крутящий момент соединения терминала, Винт M8 Крутящий момент крепления, Винт M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Вес модуля

2300

g