Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =80 О C

1350

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 О C

7.40

КВт

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

150

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =25 О C

2.90

3.35

в

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =125 О C

3.60

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.0

6.1

7.0

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

53.1

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

3.40

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

8.56

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =800A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

90

NS

т р

Время нарастания

81

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

500

NS

т F

Время спада

55

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

36.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

41.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =800A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

115

NS

т р

Время нарастания

92

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

550

NS

т F

Время спада

66

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

52.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

59.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =125 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

5200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 800 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.95

2.40

в

Я F = 800 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, т j =25 О C

56

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

550

A

е rec

Обратное восстановление энергия

38.7

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, т j = 125О C

148

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

920

A

е rec

Обратное восстановление энергия

91.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.19

мОм

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

16.9

26.2

К/кВт

р θ КС

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

19.7

30.6

К/кВт

р θ КС

Сборка из коробки в раковину

6.0

К/кВт

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Вес из Модуль

1500

g