Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD600SGL120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

950

A

600

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

600

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

1200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 175℃

3750

В

т SC

Короткое замыкание с этой Время

10

μs

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение, диод

в р =0V,t=10ms,T j =125 ℃

74000

A 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Крутящий момент крепления

Сигнальный терминал Винт:M4

1.1 до 2.0

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3,0 до 5.0

Вес

Вес из Модуль

300

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =24 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.9

в

Я C =600А,В GE =15В, т j = 125℃

2.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =3Ω,

в GE = ± 15 В, т j =25 ℃

200

NS

т р

Время нарастания

62

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

510

NS

т F

Время спада

в CC = 600 В,I C =600А, р g =3Ω,

в GE = ± 15 В, т j =25 ℃

60

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

39

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А,

р g =3Ω,V GE = ± 15 В, т j = 125℃

210

NS

т р

Время нарастания

65

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

600

NS

т F

Время спада

75

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

45

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

60

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V, f=1MHz,

в GE =0В

41.0

НФ

C - Да.

Выходной объем

3.1

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.0

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В, т j =125 ℃ ,

в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200В

2600

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Противодействие свинца модуля e, Терминал на чип

т C =25 ℃

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600A

т j =25 ℃

1.8

2.4

в

т j = 125℃

1.9

2.5

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F =600А,

в р =600 В,

di/dt=-6000A/μs, в GE =- 15В

т j =25 ℃

65

μC

т j = 125℃

100

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

450

A

т j = 125℃

510

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

35

mJ

т j = 125℃

42

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, pe r Модуль)

0.04

℃ /W

р θ Д.К.

Junction-to-Case (часть диода, на модуль (с)

0.09

℃ /W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

℃ /W