Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =90 О C

1009

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =150 О C

4032

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

150

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C

2.15

2.60

в

Я C =600А,В GE =15В, т j =125 О C

2.65

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

4.5

5.5

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

40.8

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.64

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

6.35

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =3,3Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

673

NS

т р

Время нарастания

207

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

995

NS

т F

Время спада

154

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

23.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

88.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =3,3Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

678

NS

т р

Время нарастания

211

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1047

NS

т F

Время спада

164

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

29.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

95.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =125 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

3600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я F =600А,В GE =0V,T j = 125О C

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15В, т j =25 О C

55.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

288

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.4

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15В, т j = 125О C

98.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

375

A

е rec

Обратное восстановление энергия

48.5

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.18

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.031

0.070

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.051

0.114

0.035

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g