Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD600HTA120P6HT, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HTA120P6HT
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая) Технология IGBT траншей
  • Низкие потери при переключении
  • Возможность короткого замыкания 6 мкм
  • VCE(sat) С положительный Температура коэффициент
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированный Copper Пинфин Основание использование Си3Н4 AMB Технология

Типовой Применения

  • Автомобильное применение
  • Гибридные и электрические транспортные средства
  • Инвертор для привода мотора

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

600

A

Я C

Коллекторный ток @ T F = 85 О C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Д

Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т j =175 О C

970

В

Диод

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность GE

1200

в

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

600

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150

+150 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Д Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

Д прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

IGBT

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

600

A

Я C

Коллекторный ток @ T F = 85 О C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Д

Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т j =175 О C

970

В

Диод

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность GE

1200

в

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

600

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150

+150 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Д Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

Д прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

IGBT Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, т j =25 О C

1.40

в

Я C =450A,V GE =15В, т j =150 О C

1.65

Я C =450A,V GE =15В, т j =175 О C

1.70

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C

1.60

Я C =600А,В GE =15В, т j =150 О C

1.90

Я C =600А,В GE =15В, т j =175 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 15,6 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

6.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.67

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В

81.2

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.56

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.53

НФ

Q g

Сбор за вход

в СЕ = 600 В,I C =600A, V GE =-8...+15В

5.34

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А,

р Гон =1,0Ω, р Гофф = 2,2Ω, Л s =22nH,

в GE =-8V/+15V, т j =25 О C

290

NS

т р

Время нарастания

81

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

895

NS

т F

Время спада

87

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

53.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

47.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А,

р Гон =1,0Ω, р Гофф = 2,2Ω, Л s =22nH,

в GE =-8V/+15V, т j =150 О C

322

NS

т р

Время нарастания

103

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1017

NS

т F

Время спада

171

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

84.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

63.7

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А,

р Гон =1,0Ω, р Гофф = 2,2Ω, Л s =22nH,

в GE =-8V/+15V, т j =175 О C

334

NS

т р

Время нарастания

104

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1048

NS

т F

Время спада

187

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

89.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

65.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т j =175 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

2000

A

Диод Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

в

Я F =450A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.75

Я F =450A,V GE =0V,T j =1 75О C

1.70

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C

1.95

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 50О C

1.95

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 75О C

1.90

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =600А,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8В Л s =22 nH ,т j =25 О C

22.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

304

A

е rec

Обратное восстановление энергия

10.8

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8В Л s =22 nH ,т j =150 О C

46.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

336

A

е rec

Обратное восстановление энергия

18.2

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8В Л s =22 nH ,т j =175 О C

49.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

346

A

е rec

Обратное восстановление энергия

19.8

mJ

НТЦ Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Модуль Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

Р

V/ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

64

мбар

Р

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

Штанга

р ФНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) V/ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

0.103 0.140

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

g

Вес из Модуль

750

g

Основные положения

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000