1200В 600А
Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ | Описание | Ценности | единица |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Я CN | Использование коллектора Cu ренты | 600 | A |
Я C | Коллекторный ток @ T F = 85 О C | 450 | A |
Я CM | Импульсный ток коллектора t Р =1 мс | 1200 | A |
Р Д | Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т j =175 О C | 970 | В |
Диод
Символ | Описание | Ценности | единица |
в RRM | Повторяющаяся пиковая обратная напряженность GE | 1200 | в |
Я ФН | Использование коллектора Cu ренты | 600 | A |
Я F | Диод Непрерывный прямой ток ренты | 450 | A |
Я ЧМ | Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс | 1200 | A |
Модуль
Символ | Описание | значение | единица |
т jmax | Максимальная температура стыка | 175 | О C |
т - Я не знаю. | Рабочая температура развязки непрерывная Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я | -40 до +150 +150 до +175 | О C |
т СТГ | Диапазон температур хранения | -40 до +125 | О C |
в ИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин | 2500 | в |
Д Ползучесть | Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу | 9.0 9.0 | мм |
Д прозрачный | Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу | 4.5 4.5 | мм |
IGBT
Символ | Описание | Ценности | единица |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Я CN | Использование коллектора Cu ренты | 600 | A |
Я C | Коллекторный ток @ T F = 85 О C | 450 | A |
Я CM | Импульсный ток коллектора t Р =1 мс | 1200 | A |
Р Д | Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т j =175 О C | 970 | В |
Диод
Символ | Описание | Ценности | единица |
в RRM | Повторяющаяся пиковая обратная напряженность GE | 1200 | в |
Я ФН | Использование коллектора Cu ренты | 600 | A |
Я F | Диод Непрерывный прямой ток ренты | 450 | A |
Я ЧМ | Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс | 1200 | A |
Модуль
Символ | Описание | значение | единица |
т jmax | Максимальная температура стыка | 175 | О C |
т - Я не знаю. | Рабочая температура развязки непрерывная Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я | -40 до +150 +150 до +175 | О C |
т СТГ | Диапазон температур хранения | -40 до +125 | О C |
в ИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин | 2500 | в |
Д Ползучесть | Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу | 9.0 9.0 | мм |
Д прозрачный | Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу | 4.5 4.5 | мм |
IGBT Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
в CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Я C =450A,V GE =15В, т j =25 О C |
| 1.40 |
|
в |
Я C =450A,V GE =15В, т j =150 О C |
| 1.65 |
| |||
Я C =450A,V GE =15В, т j =175 О C |
| 1.70 |
| |||
Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C |
| 1.60 |
| |||
Я C =600А,В GE =15В, т j =150 О C |
| 1.90 |
| |||
Я C =600А,В GE =15В, т j =175 О C |
| 2.00 |
| |||
в GE (т ) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | Я C = 15,6 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C |
| 6.4 |
| в |
Я CES | Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C |
|
| 1.0 | mA |
Я ГЭС | Утечка излучателя ток | в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C |
|
| 400 | НД |
р Гинт | Сопротивление внутреннего воротника |
|
| 1.67 |
| Ω |
C ies | Входной пропускной способностью |
в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В |
| 81.2 |
| НФ |
C - Да. | Выходной объем |
| 1.56 |
| НФ | |
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 0.53 |
| НФ | |
Q g | Сбор за вход | в СЕ = 600 В,I C =600A, V GE =-8...+15В |
| 5.34 |
| μC |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =600А, р Гон =1,0Ω, р Гофф = 2,2Ω, Л s =22nH, в GE =-8V/+15V, т j =25 О C |
| 290 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 81 |
| NS | |
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 895 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 87 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 53.5 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 47.5 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =600А, р Гон =1,0Ω, р Гофф = 2,2Ω, Л s =22nH, в GE =-8V/+15V, т j =150 О C |
| 322 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 103 |
| NS | |
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 1017 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 171 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 84.2 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 63.7 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =600А, р Гон =1,0Ω, р Гофф = 2,2Ω, Л s =22nH, в GE =-8V/+15V, т j =175 О C |
| 334 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 104 |
| NS | |
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 1048 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 187 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 89.8 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 65.4 |
| mJ | |
Я SC | Данные SC | т Р ≤6μs, в GE =15В, т j =175 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В |
| 2000 |
| A |
Диод Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
в F |
Диод вперед Напряжение | Я F =450A,V GE =0V,T j =25 О C |
| 1.80 |
|
в |
Я F =450A,V GE =0V,T j =1 50О C |
| 1.75 |
| |||
Я F =450A,V GE =0V,T j =1 75О C |
| 1.70 |
| |||
Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C |
| 1.95 |
| |||
Я F =600А,В GE =0V,T j =1 50О C |
| 1.95 |
| |||
Я F =600А,В GE =0V,T j =1 75О C |
| 1.90 |
| |||
Q р | Восстановленная зарядка |
в р = 600 В,I F =600А, -di/dt=7040A/μs,V GE =-8В Л s =22 nH ,т j =25 О C |
| 22.5 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 304 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 10.8 |
| mJ | |
Q р | Восстановленная зарядка |
в р = 600 В,I F =600А, -di/dt=5790A/μs,V GE =-8В Л s =22 nH ,т j =150 О C |
| 46.6 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 336 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 18.2 |
| mJ | |
Q р | Восстановленная зарядка |
в р = 600 В,I F =600А, -di/dt=5520A/μs,V GE =-8В Л s =22 nH ,т j =175 О C |
| 49.8 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 346 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 19.8 |
| mJ |
НТЦ Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
р 25 | Номинальное сопротивление |
|
| 5.0 |
| кΩ |
∆R/R | Отклонение из р 100 | т C =100 О C ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
Р 25 | Мощность рассеяние |
|
|
| 20.0 | мВт |
B 25/50 | B-значение | р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| к |
B 25/80 | B-значение | р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| к |
B 25/100 | B-значение | р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| к |
Модуль Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
Л СЕ | Индуктивность отклоняющейся |
| 8 |
| nH |
р CC+EE | Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
| 0.75 |
| мОм |
△ Р | △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C |
| 64 |
| мбар |
Р | Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка |
|
| 2.5 | Штанга |
р ФНП | Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C |
|
| 0.103 0.140 | K/W |
м | Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | Н.М |
g | Вес из Модуль |
| 750 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.