Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD600HFY120C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C6S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальное температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

  • Гибридный и электрический ve автомобиль
  • Инверторы для двигателей Д привод
  • Бесперебойное питание р поставка

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

1090

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

3947

В

Диод

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =600А,В GE =15В, т j =125 О C

1.90

Я C =600А,В GE =15В, т j =150 О C

1.95

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

5.8

6.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

62.1

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.74

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

4.62

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =25 О C

136

NS

т р

Время нарастания

77

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

494

NS

т F

Время спада

72

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

53.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.4

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =125 О C

179

NS

т р

Время нарастания

77

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

NS

т F

Время спада

113

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

70.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

74.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =150 О C

179

NS

т р

Время нарастания

85

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

670

NS

т F

Время спада

124

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

76.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

81.9

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

2400

A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C

1.95

2.40

в

Я F =600А,В GE =0V,T j =125 О C

2.05

Я F =600А,В GE =0V,T j =150 О C

2.10

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, т j =25 О C

58.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

276

A

е rec

Обратное восстановление энергия

20.9

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, т j =125 О C

109

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

е rec

Обратное восстановление энергия

41.8

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, т j =150 О C

124

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

428

A

е rec

Обратное восстановление энергия

48.5

mJ

НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из р 100

т C = 100 О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.038

0.066

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028

0.049

0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g

Основные положения

image(c537ef1333).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000