Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

±20

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =90 О C

873

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

2727

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

в

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C

1.75

2.20

в

Я C =600А,В GE =15В, т j =125 О C

2.00

Я C =600А,В GE =15В, т j =150 О C

2.05

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

55.9

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.57

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

4.20

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.5Ω

- Я не знаю. s =34nH, V GE =±15В,Т j =25 О C

109

NS

т р

Время нарастания

62

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

469

NS

т F

Время спада

68

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

42.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

46.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.5Ω,

Л s =34 nH ,

в GE =±15В,Т j =125 О C

143

NS

т р

Время нарастания

62

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

597

NS

т F

Время спада

107

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

56.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

70.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.5Ω,

Л s =34 nH ,

в GE =±15В,Т j =150 О C

143

NS

т р

Время нарастания

68

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

637

NS

т F

Время спада

118

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

61.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

77.8

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C

1.95

2.40

в

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 25О C

2.05

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 50О C

2.10

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л s =34 nH ,т j =25 О C

58.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

276

A

е rec

Обратное восстановление энергия

20.9

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л s =34 nH ,т j =125 О C

109

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

е rec

Обратное восстановление энергия

41.8

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л s =34 nH ,т j =150 О C

124

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

428

A

е rec

Обратное восстановление энергия

48.5

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.055

0.089

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.032

0.052

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g