1200В 600А
Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ | Описание | значение | единица |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Я C | Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C = 100О C | 925 600 | A |
Я CM | Импульсный ток коллектора t Р =1 мс | 1200 | A |
Р Д | Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C | 3000 | В |
Диод
Символ | Описание | значение | единица |
в RRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1200 | в |
Я F | Диод непрерывно передний арендная плата | 600 | A |
Я ЧМ | Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс | 1200 | A |
Модуль
Символ | Описание | значение | единица |
т jmax | Максимальная температура стыка | 175 | О C |
т - Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +150 | О C |
т СТГ | температура хранения Запас хода | -40 до +125 | О C |
в ИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин | 4000 | в |
IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
в CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C |
| 1.65 | 2.00 |
в |
Я C =600А,В GE =15В, т j =125 О C |
| 1.95 |
| |||
Я C =600А,В GE =15В, т j =150 О C |
| 2.00 |
| |||
в GE (т ) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C | 5.6 | 6.2 | 6.8 | в |
Я CES | Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C |
|
| 1.0 | mA |
Я ГЭС | Утечка излучателя ток | в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C |
|
| 400 | НД |
р Гинт | Внутренний портал сопротивления ance |
|
| 0.5 |
| Ω |
C ies | Входной пропускной способностью | в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В |
| 60.8 |
| НФ |
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 1.84 |
| НФ | |
Q g | Сбор за вход | в GE =- 15…+15В |
| 4.64 |
| μC |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =600А, р g = 1,2Ω,L s =20nH, V GE =±15В,Т j =25 О C |
| 308 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 42 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 431 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 268 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 15.7 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 51.3 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =600А, р g = 1,2Ω, Л s =20 nH , в GE =±15В,Т j =125 О C |
| 311 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 49 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 467 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 351 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 31.1 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 69.4 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =600А, р g = 1,2Ω, Л s =20 nH , в GE =±15В,Т j =150 О C |
| 313 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 51 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 475 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 365 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 34.8 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 71.1 |
| mJ | |
Я SC |
Данные SC | т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В, т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В |
|
2400 |
|
A |
Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
в F | Диод вперед Напряжение | Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C |
| 1.85 | 2.30 |
в |
Я F =600А,В GE =0V,T j = 125О C |
| 1.90 |
| |||
Я F =600А,В GE =0V,T j = 150О C |
| 1.95 |
| |||
Q р | Восстановленная зарядка | в CC = 600 В,I F =600А, -di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, т j =25 О C |
| 38.1 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 524 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 34.9 |
| mJ | |
Q р | Восстановленная зарядка | в CC = 600 В,I F =600А, -di/dt=11220A/μs,V g е =- 15V, т j = 125О C |
| 82.8 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 565 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 54.4 |
| mJ | |
Q р | Восстановленная зарядка | в CC = 600 В,I F =600А, -di/dt=11040A/μs,V g е =- 15V, т j = 150О C |
| 94.7 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 589 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 55.8 |
| mJ |
Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
Л СЕ | Индуктивность отклоняющейся |
|
| 20 | nH |
р CC+EE | Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю. |
| 0.35 |
| мОм |
р thJC | Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
| 0.050 0.080 | K/W |
р thCH | Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
| 0.033 0.052 0.010 |
| K/W |
м | Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | Н.М |
g | Вес из Модуль |
| 300 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.