Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD600HFX120C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.

Особенности

  • Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT Технология
  • 10 мкм Краткосвязь Иллитет
  • в СЕ (сидел ) С положительный Температура коэффициент
  • Максимальное температура соединения 175О C
  • Низкая индуктивность Чехол
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
  • Изолированная медная основа, использующая технологию HPS DBC

Типовой Применения

  • Инверторы для двигателей Д привод
  • СИ и ПТ сервопривод Водить машину усилитель
  • Бесперебойное питание поставка

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

925

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

3000

В

Диод

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C

1.65

2.00

в

Я C =600А,В GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =600А,В GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В

60.8

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.84

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

4.64

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g = 1,2Ω,L s =20nH, V GE =±15В,Т j =25 О C

308

NS

т р

Время нарастания

42

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

431

NS

т F

Время спада

268

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

15.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g = 1,2Ω, Л s =20 nH ,

в GE =±15В,Т j =125 О C

311

NS

т р

Время нарастания

49

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

467

NS

т F

Время спада

351

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

31.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

69.4

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g = 1,2Ω, Л s =20 nH ,

в GE =±15В,Т j =150 О C

313

NS

т р

Время нарастания

51

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

475

NS

т F

Время спада

365

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

34.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

71.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

2400

A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C

1.85

2.30

в

Я F =600А,В GE =0V,T j = 125О C

1.90

Я F =600А,В GE =0V,T j = 150О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, т j =25 О C

38.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

524

A

е rec

Обратное восстановление энергия

34.9

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=11220A/μs,V g е =- 15V, т j = 125О C

82.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

565

A

е rec

Обратное восстановление энергия

54.4

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=11040A/μs,V g е =- 15V, т j = 150О C

94.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

589

A

е rec

Обратное восстановление энергия

55.8

mJ

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.050

0.080

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.033

0.052

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000