Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD600CUL120C3S GD600CLL120C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

1050

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

1200

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

4.05

КВт

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Монтаж Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Вес

Вес Модуль

1500

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.90

2.35

в

Я C =600А,В GE =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.9Ω,

в GE =±15В, т j =25 ℃

170

NS

т р

Время нарастания

90

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

450

NS

т F

Время спада

70

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

74.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

36.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =600А, р g =1.9Ω,

в GE =±15В, т j = 125℃

180

NS

т р

Время нарастания

100

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

520

NS

т F

Время спада

90

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

99.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

60.0

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

44.2

НФ

C - Да.

Выходной объем

3.20

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.08

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

2800

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.6

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600A

т j =25 ℃

1.80

2.20

в

т j =125 ℃

1.85

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =600А,

в р =600 В,

р g =1.9Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

80

μC

т j =125 ℃

152

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

520

A

т j =125 ℃

680

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

28.8

mJ

т j =125 ℃

60.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

37.0

К/кВт

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

64.0

К/кВт

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

6

К/кВт