1200В 450А
Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 450А.
Особенности
Типовой Применения
IGBT-инвертор т C =25 ℃ если не указано иное
Максимальные номинальные значения
Символ | Описание | GD450HTT120C7S | Единицы |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер @ T j =25 ℃ | 1200 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ± 20 | в |
Я C | Коллекторный ток @ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃ | 650 450 | A |
Я CM | Импульсный ток коллектора t Р =1 мс | 900 | A |
Р - Да. | Общее рассеяние мощности @ T j =175 ℃ | 2155 | В |
т SC | Время выдержки короткого замыкания @ T j =150 ℃ | 10 | μs |
Не характеризуется
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в (BR)CES | Сборщик-выпускник Предельное напряжение | т j =25 ℃ | 1200 |
|
| в |
Я CES | Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Я ГЭС | Утечка излучателя ток | в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25 ℃ |
|
| 400 | НД |
О характеристиках
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в ГЭ ((th) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | Я C =18.0mA,V СЕ =V GE , т j =25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | в |
в CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Я C =450A,V GE =15В, т j =25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
в |
Я C =450A,V GE =15В, т j =125 ℃ |
| 1.90 |
|
Изменение характера Истики
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
е НА | Включить Переключение Потеря |
в CC = 600 В,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, т j =25 ℃ |
| 23.0 |
| mJ |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 31.0 |
| mJ | |
е - Да. | Total Потери при переключении |
| 54.0 |
| mJ | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
в CC = 600 В,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, т j =125 ℃ |
| 36.0 |
| mJ |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 48.0 |
| mJ | |
е - Да. | Total Потери при переключении |
| 84.0 |
| mJ |
т d(on) | Время задержки включения | в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.6Ω, в GE = ± 15V, т j =25 ℃ |
| 160 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 90 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 500 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 130 |
| NS | |
т d(on) | Время задержки включения | в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.6Ω, в GE = ± 15V, т j =125 ℃ |
| 170 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 100 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 570 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 160 |
| NS | |
C ies | Входной пропускной способностью |
в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В |
| 32.3 |
| НФ |
C - Да. | Выходной объем |
| 1.69 |
| НФ | |
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 1.46 |
| НФ | |
Я SC |
Данные SC | т s C ≤ 10 мс,В GE ≤ 15V, т j =125 ℃ , в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200В |
|
1800 |
|
A |
р Гинт | Сопротивление внутреннего воротника |
|
| 1.7 |
| Ω |
Q g | Сбор за вход | в GE =-15…+15V |
| 4.3 |
| μC |
DIODE-инвертор т C =25 ℃ если не указано иное
Максимальные номинальные значения
Символ | Описание | GD450HTT120C7S | Единицы |
в RRM | Напряжение коллектор-эмиттер @ T j =25 ℃ | 1200 | в |
Я F | Постоянный прямой ток @ т C =80 ℃ | 450 | A |
Я ФРМ | Повторяющийся пик прямого тока t Р = 1мс | 900 | A |
Я 2т | Я 2t-значение,V р =0V, T Р =10ms, T j = 125℃ | 35000 | A 2s |
Характеристики Ценности
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | |
в F | Диод вперед Напряжение | Я F =450A,V GE =0В | т j =25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 | в |
т j =125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q р | Восстановленная зарядка |
Я F =450A, в р =600 В, di/dt=-5200A/μs, в GE = 15 В | т j =25 ℃ |
| 45.1 |
| NS |
т j =125 ℃ |
| 84.6 |
| ||||
Я RM | Пик обратный Ток восстановления | т j =25 ℃ |
| 316 |
| A | |
т j =125 ℃ |
| 404 |
| ||||
е rec | Обратное восстановление энергия | т j =25 ℃ |
| 21.1 |
| mJ | |
т j =125 ℃ |
| 38.9 |
| ||||
Электрический Характеристики из НТЦ т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
р 25 | Номинальное сопротивление |
|
| 5.0 |
| кΩ |
ΔR/R | Отклонение из р 100 | т C =100 ℃ ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
Р 25 | Диссипация мощности |
|
|
| 20.0 | мВт |
B 25/50 | B-значение | р 2=R 25exp[B 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))] |
| 3375 |
| к |
Модуль IGBT
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в ИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min |
| 2500 |
| в |
Л СЕ | Индуктивность отклоняющейся |
| 20 |
| nH |
р CC + EE ’ | Модуль свинцового сопротивления ce,Терминал к чипу @ T C =25 ℃ |
| 1.1 |
| м Ω |
р θJC | Переходный пункт -до -Чехол (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
| 0.058 0.102 | K/W |
р θCS | Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание) |
| 0.005 |
| K/W |
т j | Максимальная температура стыка |
|
| 150 | ℃ |
т СТГ | Диапазон температур хранения | -40 |
| 125 | ℃ |
Монтаж Крутящий момент | Терминал питания Винт:M5 | 3.0 |
| 6.0 | Н.М |
Монтаж Винт: M6 | 3.0 |
| 6.0 | Н.М | |
Вес | Вес Модуль |
| 910 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
