Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD450HTT120C7S, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 450А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 450А.

Особенности

  • Низкий в CE (США) технология IGBT с канавками Гй
  • Низкий потери при переключении
  • 10 мкм возможности короткого замыкания
  • Квадратная RBSOA
  • в CE (США) с положительным температурным коэффициентом
  • Низкая индуктивность Чехол
  • Быстро и быстро мягкая обратная рекуперация антипараллельная FWD
  • Изолированная медь ba сеплата с использованием технологии DBC

Типовой Применения

  • Инверторы для двигателей Водить машину
  • СИ и ПТ сервопривод Водить машину усилитель
  • Источник бесперебойного питания

IGBT-инвертор т C =25 если не указано иное

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD450HTT120C7S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер @ T j =25

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25

@ T C =80

650

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

900

A

Р - Да.

Общее рассеяние мощности @ T j =175

2155

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =150

10

μs

Не характеризуется

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (BR)CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25

400

НД

О характеристиках

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =18.0mA,V СЕ =V GE , т j =25

5.0

5.8

6.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, т j =25

1.70

2.15

в

Я C =450A,V GE =15В, т j =125

1.90

Изменение характера Истики

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

е НА

Включить Переключение

Потеря

в CC = 600 В,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, т j =25

23.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

31.0

mJ

е - Да.

Total Потери при переключении

54.0

mJ

е НА

Включить Переключение

Потеря

в CC = 600 В,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, т j =125

36.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.0

mJ

е - Да.

Total Потери при переключении

84.0

mJ

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.6Ω,

в GE = ± 15V, т j =25

160

NS

т р

Время нарастания

90

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

500

NS

т F

Время спада

130

NS

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.6Ω,

в GE = ± 15V, т j =125

170

NS

т р

Время нарастания

100

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

570

NS

т F

Время спада

160

NS

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

32.3

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.69

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.46

НФ

Я SC

Данные SC

т s C 10 мс,В GE 15V, т j =125 ,

в CC = 900 В, в СМК 1200В

1800

A

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.7

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

4.3

μC

DIODE-инвертор т C =25 если не указано иное

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD450HTT120C7S

Единицы

в RRM

Напряжение коллектор-эмиттер @ T j =25

1200

в

Я F

Постоянный прямой ток @ т C =80

450

A

Я ФРМ

Повторяющийся пик прямого тока t Р = 1мс

900

A

Я 2т

Я 2t-значение,V р =0V, T Р =10ms, T j = 125

35000

A 2s

Характеристики Ценности

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =450A,V GE =0В

т j =25

1.65

2.15

в

т j =125

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =450A,

в р =600 В,

di/dt=-5200A/μs, в GE = 15 В

т j =25

45.1

NS

т j =125

84.6

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25

316

A

т j =125

404

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25

21.1

mJ

т j =125

38.9

Электрический Характеристики из НТЦ т C =25 если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из р 100

т C =100 ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Диссипация мощности

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25exp[B 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

к

Модуль IGBT

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE

Модуль свинцового сопротивления ce,Терминал к чипу @ T C =25

1.1

м Ω

р θJC

Переходный пункт -до -Чехол (наIGBT )

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.058

0.102

K/W

р θCS

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.005

K/W

т j

Максимальная температура стыка

150

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40

125

Монтаж

Крутящий момент

Терминал питания Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3.0

6.0

Н.М

Вес

Вес Модуль

910

g

Основные положения

image(6778dd5b7b).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000