Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

680

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

900

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

2173

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

900

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.05

в

Я C =450A,V GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =450A,V GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 11,3 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

46.6

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

3.50

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.5Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

328

NS

т р

Время нарастания

76

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

539

NS

т F

Время спада

108

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

19.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

46.6

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.5Ω,

в GE =±15В, т j =125 О C

376

NS

т р

Время нарастания

86

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

595

NS

т F

Время спада

214

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

36.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

53.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.5Ω,

в GE =±15В, т j =150 О C

380

NS

т р

Время нарастания

89

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

608

NS

т F

Время спада

232

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

41.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

55.5

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я F =450A,V GE =0V,T j =125 О C

1.65

Я F =450A,V GE =0V,T j =150 О C

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, т j =25 О C

29.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

275

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.2

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, т j =125 О C

68.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

342

A

е rec

Обратное восстановление энергия

31.6

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, т j =150 О C

79.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

354

A

е rec

Обратное восстановление энергия

35.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.069

0.108

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.033

0.051

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g