Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

680

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

900

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

2173

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

900

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =450A,V GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =450A,V GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 11.3мА,В СЕ =V GE ,т j =25 О C

5.2

5.8

6.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

46.6

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

3.50

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

203

NS

т р

Время нарастания

64

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

491

NS

т F

Время спада

79

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

16.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

38.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

235

NS

т р

Время нарастания

75

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

581

NS

т F

Время спада

109

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

27.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

55.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

235

NS

т р

Время нарастания

75

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

621

NS

т F

Время спада

119

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

30.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

61.5

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25 О C

1.85

2.30

в

Я F =450A,V GE =0V,T j = 125О C

1.90

Я F =450A,V GE =0V,T j = 150О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, т j =25 О C

55.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

518

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, т j = 125О C

106

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

633

A

е rec

Обратное восстановление энергия

47.5

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, т j = 150О C

121

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

661

A

е rec

Обратное восстановление энергия

53.9

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из р 100

т C = 100 О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.069

0.108

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.030

0.046

0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g