Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C = 95 О C

685

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

900

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

2206

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

900

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =450A,V GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =450A,V GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 18,0 мА,В СЕ =V GE , т j =25 О C

5.0

5.6

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В

39.0

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.26

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =15В

2.46

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g = 1,5Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

360

NS

т р

Время нарастания

140

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

550

NS

т F

Время спада

146

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

11.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

48.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g = 1,5Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

374

NS

т р

Время нарастания

147

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

623

NS

т F

Время спада

178

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

64.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g = 1,5Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

381

NS

т р

Время нарастания

152

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

636

NS

т F

Время спада

184

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

19.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

69.0

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25 О C

1.72

2.12

в

Я F =450A,V GE =0V,T j = 125О C

1.73

Я F =450A,V GE =0V,T j = 150О C

1.74

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15 В, т j =25 О C

40.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

258

A

е rec

Обратное восстановление энергия

19.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15 В, т j = 125О C

71.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

338

A

е rec

Обратное восстановление энергия

39.1

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15 В, т j = 150О C

79.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

352

A

е rec

Обратное восстановление энергия

41.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.068 0.117

K/W

р θ КС

Кассе-от-Упаковки (на IGBT) Кассе-от-Упаковки (на диод)

0.111 0.190

K/W

р θ КС

Сборка из коробки в раковину

0.035

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Вес Модуль

300

g