Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD400SGT120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

680

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

800

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

@ T C =80 ℃

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

2419

В

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Монтаж Крутящий момент

Клемма питания: M4

Крепежный винт силового терминала:M6

1.1 до 2.0

2,5 до 5.0

Н.М

Монографный винт:M6

3,0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃

1.70

2.05

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j =25 ℃

251

NS

т р

Время нарастания

89

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

555

NS

т F

Время спада

128

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

23.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

39.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j =125 ℃

302

NS

т р

Время нарастания

101

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

650

NS

т F

Время спада

179

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

33.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

58.9

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

28.8

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.51

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1600

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.9

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

т j =25 ℃

1.65

2.10

в

т j =125 ℃

1.65

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =400A,

в р =600 В,

р g = 1.8Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

39.8

μC

т j =125 ℃

75.1

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

275

A

т j =125 ℃

362

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

18.0

mJ

т j =125 ℃

34.1

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

0.067

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.124

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

0.035

K/W

Вес

Вес Модуль

300

g