Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD400SGL120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

650

A

400

Я CM (1)

Импульсный коллекторный ток нт

800

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

400

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 175℃

3000

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т j

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение, диод

в р =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS, f=50Hz, t=1min

2500

в

Крутящий момент крепления

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5

Н.М

Монтаж Винт: M6

3 до 6

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

BV CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Затвор-эмиттер

ток утечки

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Затвор-эмиттер

Напряжение порога

Я C =8 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Коллектор к

Эмиттерное насыщение

Напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃

1.9

в

Я C =400A,V GE =15В, т j = 125℃

2.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A,

р g =4Ω, V GE = ± 15V,

100

NS

т р

Время нарастания

60

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

т j =25 ℃

420

NS

т F

Время спада

в CC = 600 В,I C =400A,

р g =4Ω, V GE = ± 15V,

т j =25 ℃

60

NS

е НА

Включить

Потери при переключении

33

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Включение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потери при переключении

42

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A,

р g =4Ω, V GE = ± 15V,

т j = 125℃

120

NS

т р

Время нарастания

60

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

490

NS

т F

Время спада

75

NS

е НА

Включить

Потери при переключении

35

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Включение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потери при переключении

46

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V, f=1MHz,

в GE =0В

30

НФ

C - Да.

Выходной объем

4

НФ

C res

Обратный

Емкость передачи

3

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10μs, V GE =15 В,

т j =125 ℃ , V CC = 900 В,

в СМК ≤ 1200В

1900

A

р Гинт

Внутренний затвор

сопротивление

0.5

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

т C =25 ℃

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

т j =25 ℃

2.1

2.2

в

т j = 125℃

2.2

2.3

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F =400A,

в р =600 В,

di/dt=-4000A/μs, в GE =- 15В

т j =25 ℃

40

μC

т j = 125℃

48

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

320

A

т j = 125℃

400

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

12

mJ

т j = 125℃

20

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, pe r Модуль)

0.05

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть ДИОД, на модуль e)

0.09

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

Вес

Вес из Модуль

300

g