Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD400SGK120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

Символ

Описание

GD400SGK120C2S

Единицы

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20V

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

550

A

400

Я CM(1)

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток нт

400

A

Я ЧМ

Диод Максимальный прямой ток нт

800

A

Р Д

Максимальная мощность Рассеяние @ т j =150 ℃

2500

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =1 25℃

10

μs

т j

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение, диод

в р =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS, f=50Hz, t=1min

2500

в

Монтаж

Крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт: M6

1.1 до 2.0

2,5 до 5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3,0 до 6.0

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

BV CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ГЭ ((th)

Затвор-эмиттер

Напряжение порога

Я C =5.0mA,V СЕ =V GE ,

т j =25 ℃

4.5

5.1

5.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15V,T j =25 ℃

2.2

в

Я C =400A,V GE =15В,

т j =125 ℃

2.5

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A,

258

NS

т р

Время нарастания

р g =3.3Ω, V GE = ± 15V,

110

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

т j = 25 ℃

285

NS

т F

Время спада

в CC = 600 В,I C =400A,

р g =3.3Ω, V GE = ± 15V, т j = 25 ℃

70

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

45

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26

mJ

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A,

р g =3.3Ω, V GE = ± 15V, т j = 125℃

260

NS

т р

Время нарастания

120

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

300

NS

т F

Время спада

80

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

60

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

40

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V, f=1.0MHz,

в GE =0В

74.7

НФ

C - Да.

Выходной объем

3.3

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.64

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10μs, V GE =15В,

т j =125 ℃ , V CC = 900 В,

в СМК ≤ 1200В

2400

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

16

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцовый

Сопротивление, Терминал до Чип

т C =25 ℃

0.50

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

т j =25 ℃

2.0

2.3

в

т j =125 ℃

2.2

2.5

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F =400A,

в р =600 В,

di/dt=-4100A/μs, в GE = 15 В

т j =25 ℃

31

μC

т j =125 ℃

66

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

300

A

т j =125 ℃

410

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

12

mJ

т j =125 ℃

28

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θJC

Сцепление с корпусом (IGBT часть, в 1/2 модуль)

0.05

K/W

р θJC

С перехода на корпус (ЧАСТЬ ДИОДА, на 1/2 модуль)

0.08

K/W

р θCS

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

Вес

Вес Модуль

340

g