1200 В 400 А
Краткое введение
Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютные максимальные рейтинги т C =25 ℃ если нет отто
Символ | Описание | GD400HFT120C2S | Единицы |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ± 20 | в |
Я C | Коллекторный ток @ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃ | 600 | A |
400 | |||
Я CM(1) | Импульсный ток коллектора t Р =1 мс | 800 | A |
Я F | Диод непрерывного прямого тока @ T C =80 ℃ | 400 | A |
Я ЧМ | Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс | 800 | A |
Р Д | Максимальная мощность Рассеяние @ т j =150 ℃ | 2119 | В |
т jmax | Максимальная температура стыка | 150 | ℃ |
т СТГ | Диапазон температур хранения | -40 до +125 | ℃ |
в ИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | в |
Монтаж | Терминал питания Винт: M6 | 2,5 до 5.0 | Н.М |
Крутящий момент | Монтаж Винт: M6 | 3,0 до 5.0 |
|
Электрические характеристики IGBT т C =25 ℃ если не указано иное
Не характеризуется
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в (BR)CES | Сборщик-выпускник Предельное напряжение | т j =25 ℃ | 1200 |
|
| в |
Я CES | Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Я ГЭС | Утечка излучателя ток | в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25 ℃ |
|
| 400 | НД |
О характеристиках
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в ГЭ ((th) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | Я C = 16mA,V СЕ =V GE , т j =25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | в |
в CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
в |
Я C =400A,V GE =15В, т j =125 ℃ |
| 2.00 |
|
Изменение характера Истики
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
т d(on) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =400A, р g =1,8Ω,V GE = ± 15V, т j =25 ℃ |
| 250 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 39 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 500 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 100 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 17.0 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 42.0 |
| mJ | |
т d(on) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =400A, р g =1,8Ω,V GE = ± 15V, т j =125 ℃ |
| 299 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 46 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 605 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 155 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 25.1 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 61.9 |
| mJ | |
C ies | Входной пропускной способностью |
в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В |
| 28.8 |
| НФ |
C - Да. | Выходной объем |
| 1.51 |
| НФ | |
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 1.31 |
| НФ | |
Я SC |
Данные SC | т s C ≤ 10 мс,В GE =15В, т j =125 ℃ , в CC =600 В, в СМК ≤ 1200В |
|
1600 |
|
A |
р Гинт | Сопротивление внутреннего воротника |
|
| 1.9 |
| Ω |
Л СЕ | Индуктивность отклоняющейся |
|
|
| 20 | nH |
р CC + EE ’ | Модуль свинцового сопротивления - не Терминал на чип | т C =25 ℃ |
| 0.35 |
| м Ω |
Электрический Характеристики из Диод т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | |
в F | Диод вперед Напряжение | Я F =400A | т j =25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 | в |
т j =125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q р | Восстановленная зарядка |
Я F =400A, в р =600 В, di/dt=-6000A/μs, в GE = 15 В | т j =25 ℃ |
| 44 |
| μC |
т j =125 ℃ |
| 78 |
| ||||
Я RM | Пик обратный Ток восстановления | т j =25 ℃ |
| 490 |
| A | |
т j =125 ℃ |
| 555 |
| ||||
е rec | Обратное восстановление энергия | т j =25 ℃ |
| 19.0 |
| mJ | |
т j =125 ℃ |
| 35.1 |
| ||||
Тепловые характеристики
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Единицы |
р θJC | Переходный пункт -до -Чехол (наIGBT ) |
| 0.059 | K/W |
р θJC | Соединение с корпусом (на Диод) |
| 0.106 | K/W |
р θCS | Складка-на-мыло (проводящая жирная смесь) применяется) | 0.035 |
| K/W |
Вес | Вес Модуль | 300 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
