1200 В 400 А
Краткое введение
Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ | Описание | GD400HFT120C2SN | Единицы |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Я C | Ток коллектора @ т C =25 ℃ @ T C = 100℃ | 650 400 | A |
Я CM | Импульсный ток коллектора t Р =1 MS | 800 | A |
Я F | Диод непрерывно передний арендная плата | 400 | A |
Я ЧМ | Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс | 800 | A |
Р Д | Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃ | 2542 | В |
т jmax | Максимальная температура стыка | 175 | ℃ |
т - Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +150 | ℃ |
т СТГ | температура хранения Запас хода | -40 до +125 | ℃ |
в ИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин | 4000 | в |
Монтаж Крутящий момент | Крепежный винт силового терминала:M6 Монографный винт:M6 | 2,5 до 5.0 3,0 до 5.0 | Н.М |
Вес | Вес Модуль | 300 | g |
Электрический Характеристики из IGBT т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Не характеризуется
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в (БР )CES | Сборщик-выпускник Предельное напряжение | т j =25 ℃ | 1200 |
|
| в |
Я CES | Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Я ГЭС | Утечка излучателя ток | в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃ |
|
| 400 | НД |
О характеристиках
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
в GE (т ) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , т j =25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | в |
в CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
в |
Я C =400A,V GE =15В, т j =125 ℃ |
| 2.00 |
| |||
Я C =400A,V GE =15В, т j =150 ℃ |
| 2.10 |
|
Смена характеристик
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω, в GE =±15В, т j =25 ℃ |
| 250 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 39 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 500 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 100 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 17.0 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 42.0 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω, в GE =±15В, т j = 125℃ |
| 299 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 46 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 605 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 155 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 25.1 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 61.9 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω, в GE =±15В, т j = 150℃ |
| 320 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 52 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 625 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 180 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 30.5 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 66.8 |
| mJ | |
C ies | Входной пропускной способностью |
в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В |
| 28.8 |
| НФ |
C - Да. | Выходной объем |
| 1.51 |
| НФ | |
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 1.31 |
| НФ | |
Я SC |
Данные SC | т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В, т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В |
|
1600 |
|
A |
р Гинт | Внутренний портал сопротивления ance |
|
| 1.9 |
| Ω |
Л СЕ | Индуктивность отклоняющейся |
|
|
| 20 | nH |
р CC+EE | Модуль свинцовый Сопротивление, Терминал на чип |
|
|
0.35 |
|
мОм |
Электрический Характеристики из Диод т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | |
в F | Диод вперед Напряжение | Я F =400A, в GE =0В | т j =25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 |
в |
т j =125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
т j =150 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q р |
Восстановленная зарядка |
Я F =400A, в р =600 В, р g = 1.8Ω, в GE = 15 В | т j =25 ℃ |
| 44 |
|
μC |
т j =125 ℃ |
| 78 |
| ||||
т j =150 ℃ |
| 90 |
| ||||
Я RM | Пик обратный Ток восстановления | т j =25 ℃ |
| 490 |
|
A | |
т j =125 ℃ |
| 555 |
| ||||
т j =150 ℃ |
| 565 |
| ||||
е rec | Обратное восстановление энергия | т j =25 ℃ |
| 19.0 |
|
mJ | |
т j =125 ℃ |
| 35.1 |
| ||||
т j =150 ℃ |
| 38.8 |
| ||||
Тепловой характеристик ика
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Единицы |
р θ Д.К. | Соединение с делом (на IGB) T) |
| 0.059 | K/W |
р θ Д.К. | Соединение с корпусом (на D) йода) |
| 0.106 | K/W |
р θ КС | Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь) | 0.035 |
| K/W |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
