Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD400HFT120B3S, Модуль IGBT, STARPOWER

1200 В 400 А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFT120B3S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

700

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

2542

В

Диод

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

2.00

Я C =400A,V GE =15В, т j =150 О C

2.10

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.0

5.8

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.9

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

28.8

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

1.20

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

250

NS

т р

Время нарастания

39

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

500

NS

т F

Время спада

100

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

17.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

42.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

299

NS

т р

Время нарастания

46

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

605

NS

т F

Время спада

155

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

25.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

61.9

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

320

NS

т р

Время нарастания

52

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

625

NS

т F

Время спада

180

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

30.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

66.8

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =600 В, в СМК ≤ 1200 В

1600

A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125О C

1.65

Я F =400A,V GE =0V,T j = 150О C

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

в GE =- 15V, т j =25 О C

44

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

490

A

е rec

Обратное восстановление энергия

19.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

в GE =- 15V, т j = 125О C

78

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

555

A

е rec

Обратное восстановление энергия

35.1

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

в GE =- 15V, т j = 150О C

90

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

565

A

е rec

Обратное восстановление энергия

38.8

mJ

НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р 100

т C = 100О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Диссипация мощности

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.059

0.106

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.109

0.196

0.035

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g

Основные положения

image(f59f3275a8).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000