Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

645

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

2631

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

2.00

2.45

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

2.40

Я C =400A,V GE =15В, т j =150 О C

2.50

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.4

6.2

7.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

27.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.92

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

3.08

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g = 2,2Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

367

NS

т р

Время нарастания

112

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

523

NS

т F

Время спада

236

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

42.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

76.7

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g = 2,2Ω,V GE =±15В, т j = 125О C

375

NS

т р

Время нарастания

116

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

599

NS

т F

Время спада

458

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

58.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

109

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g = 2,2Ω,V GE =±15В, т j = 150О C

377

NS

т р

Время нарастания

120

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

611

NS

т F

Время спада

560

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

73.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

118

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 1000V, в СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125О C

1.90

Я F =400A,V GE =0V,T j = 150О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, т j =25 О C

101

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

488

A

е rec

Обратное восстановление энергия

71.1

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, т j = 125О C

150

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

562

A

е rec

Обратное восстановление энергия

106

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, т j = 150О C

160

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

575

A

е rec

Обратное восстановление энергия

112

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.057

0.110

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.106

0.205

0.035

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g