Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD400HFL120C2SN

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

650

A

400

Я CM(1)

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока @ T C =80 ℃

400

A

Я ЧМ

Диод Максимальный прямой ток нт

800

A

Р Д

Максимальная мощность Рассеяние @ т j =150 ℃

2450

В

т jmax

Максимальная температура стыка

150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Монтаж

Терминал питания Винт: M6

2,5 до 5.0

Н.М

Крутящий момент

Монтаж Винт: M6

3,0 до 5.0

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (BR)CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C = 16mA,V СЕ =V GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃

1.90

2.35

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 4,1Ω,V GE = ± 15V, т j =25 ℃

910

NS

т р

Время нарастания

200

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

848

NS

т F

Время спада

110

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

33.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

39.5

mJ

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 4,1Ω,V GE = ± 15V, т j =125 ℃

1047

NS

т р

Время нарастания

201

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

998

NS

т F

Время спада

150

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

46.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

57.6

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

29.7

НФ

C - Да.

Выходной объем

2.08

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.36

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В,

т j =25 ℃ V CC =600 В,

в СМК ≤ 1200В

1800

A

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления - не Терминал на чип

т C =25 ℃

0.35

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

т j =25 ℃

1.80

2.40

в

т j =125 ℃

1.85

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =400A,

в р =600 В,

di/dt=-2680A/μs, в GE = 15 В

т j =25 ℃

26

μC

т j =125 ℃

49

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

212

A

т j =125 ℃

281

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

13.4

mJ

т j =125 ℃

23.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θJC

Переходный пункт -до -Чехол (наIGBT )

0.051

K/W

р θJC

Соединение с корпусом (на Диод)

0.072

K/W

р θCS

Складка-на-мыло (проводящая жирная смесь) применяется)

0.035

K/W

Вес

Вес Модуль

300

g