Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

630

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

2083

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =400A,V GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.0

5.7

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

39.6

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.20

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =15В

2.40

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

408

NS

т р

Время нарастания

119

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

573

NS

т F

Время спада

135

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

10.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

36.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

409

NS

т р

Время нарастания

120

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

632

NS

т F

Время спада

188

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

13.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

53.6

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

410

NS

т р

Время нарастания

123

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

638

NS

т F

Время спада

198

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

14.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

56.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125О C

1.85

Я F =400A,V GE =0V,T j = 150О C

1.85

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

40.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

259

A

е rec

Обратное восстановление энергия

19.7

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

67.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

323

A

е rec

Обратное восстановление энергия

32.6

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

77.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

342

A

е rec

Обратное восстановление энергия

38.3

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.072

0.095

K/W

р θ КС

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

0.088

0.116

K/W

р θ КС

Сборка из коробки в раковину

0.035

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес Модуль

300

g