Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD400CLK120C2S, Модуль IGBT, Резак в одном корпусе, STARPOWER

1200В 400А, Чоппер в одном корпусе

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLK120C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.

Особенности

  • технология NPT IGBT
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =80 О C

615

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 О C

2358

В

Диод

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

150

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

2.15

2.60

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

2.65

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

5.7

6.2

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

26.2

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.68

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

4.18

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 2,2Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

392

NS

т р

Время нарастания

129

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

567

NS

т F

Время спада

143

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

8.40

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

37.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 2,2Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

395

NS

т р

Время нарастания

135

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

604

NS

т F

Время спада

154

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

12.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

42.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =125 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

2400

A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125О C

1.85

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, т j =25 О C

35.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

246

A

е rec

Обратное восстановление энергия

17.1

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, т j = 125О C

56.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

312

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.3

mJ

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.053

0.103

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.048

0.094

0.032

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000