Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

483

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

1612

В

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =60 О C

372

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

920

В

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

Ценности

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 7,50 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

21.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.20

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

2.60

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

182

NS

т р

Время нарастания

54

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

464

NS

т F

Время спада

72

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

10.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

25.8

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

193

NS

т р

Время нарастания

54

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

577

NS

т F

Время спада

113

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

16.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

38.6

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 1.3Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

203

NS

т р

Время нарастания

54

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

618

NS

т F

Время спада

124

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

18.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

43.3

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я C = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я C = 300 А,В GE =0V,T j =125 О C

1.65

Я C = 300 А,В GE =0V,T j =150 О C

1.65

Q р

Восстановлено

заряд

в CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 В, т j =25 О C

29

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

318

A

е rec

Обратное восстановление энергия

18.1

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 В, т j = 125О C

55

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

371

A

е rec

Обратное восстановление энергия

28.0

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 В, т j = 150О C

64

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

390

A

е rec

Обратное восстановление энергия

32.8

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.45

1.90

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

1.60

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

1.70

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4.8 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.1

5.8

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

17.1

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.51

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15 ﹍+15В

2.88

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

88

NS

т р

Время нарастания

40

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

294

NS

т F

Время спада

43

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

1.34

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

8.60

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =125 О C

96

NS

т р

Время нарастания

48

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

312

NS

т F

Время спада

60

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

1.86

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

10.8

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =150 О C

104

NS

т р

Время нарастания

48

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

318

NS

т F

Время спада

60

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

1.98

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.3

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т j =150 О C,V CC =360V, в СМК ≤650V

1500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.55

1.95

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =125 О C

1.50

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =150 О C

1.45

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C

14.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

209

A

е rec

Обратное восстановление энергия

3.74

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE = 15 В т j =125 О C

26.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

259

A

е rec

Обратное восстановление энергия

6.82

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE = 15 В т j =150 О C

30.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

275

A

е rec

Обратное восстановление энергия

7.70

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с корпусом (для T1, T2 IGBT)

Соединение с корпусом (для D1,D2 Диод de)

Соединение с корпусом (для T3, T4 IGBT)

Соединение с корпусом (для D3,D4 Диод de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на T1,T2 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D1,D2 Диод)

Корпус к радиатору (на T3,T4 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D3,D4 Диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

340

g