Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

540

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

1948

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =80 О C

415

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

1086

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

2.00

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

2.10

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.0

5.8

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

100

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

21.5

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.98

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

2.80

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

250

NS

т р

Время нарастания

90

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

550

NS

т F

Время спада

130

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

17.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

29.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

300

NS

т р

Время нарастания

100

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

650

NS

т F

Время спада

180

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

25.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

44.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

320

NS

т р

Время нарастания

100

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

NS

т F

Время спада

190

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

27.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.5

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.65

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150О C

1.65

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

30.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

210

A

е rec

Обратное восстановление энергия

14.0

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

56.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

270

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.0

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

62.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

290

A

е rec

Обратное восстановление энергия

28.5

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.45

1.90

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

1.60

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

1.70

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4.8 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.1

5.8

6.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

18.5

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.55

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15В ...+15В

3.22

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

110

NS

т р

Время нарастания

50

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

490

NS

т F

Время спада

50

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.13

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

9.83

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =125 О C

120

NS

т р

Время нарастания

60

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

520

NS

т F

Время спада

70

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

3.10

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

12.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =150 О C

130

NS

т р

Время нарастания

60

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

530

NS

т F

Время спада

70

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

3.30

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

12.5

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т j =150 О C,V CC =360V, в СМК ≤650V

1500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.55

2.00

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.50

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150О C

1.45

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F = 300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

13.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

190

A

е rec

Обратное восстановление энергия

3.40

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F = 300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

24.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

235

A

е rec

Обратное восстановление энергия

6.20

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F = 300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

28.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

A

е rec

Обратное восстановление энергия

7.00

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с корпусом (для T1, T2 IGBT)

Соединение с корпусом (для D1,D2 Диод de)

Соединение с корпусом (для T3, T4 IGBT)

Соединение с корпусом (для D3,D4 Диод de)

0.077

0.141

0.138

0.237

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на T1,T2 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D1,D2 Диод)

Корпус к радиатору (на T3,T4 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D3,D4 Диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

K/W

м

Крутящий момент установки, Шуруп M6

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5

3.0

2.5

6.0

5.0

Н.М